Realization of high-power and high-efficiency light-emitting devices based on AlInN

基于AlInN的高功率、高效率发光器件的实现

基本信息

  • 批准号:
    15K13344
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Metalorganic vapor phase epitaxy and time-resolved luminescence studies of pseudomorphic m-plane Al1-xInxN epitaxial films on a low defect density m-plane GaN substrate
低缺陷密度m面GaN衬底上赝晶m面Al1-xInxN外延薄膜的金属有机气相外延和时间分辨发光研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. F. Chichibu;K. Kojima;Y. Yamazaki;K. Furusawa;H. Ikeda;and K. Fujito
  • 通讯作者:
    and K. Fujito
自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性
自支撑GaN衬底上m面Al1-xInxN外延薄膜的发光特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. F. Chichibu;K. Kojima;Y. Yamazaki;and K. Furusawa;秩父重英,小島一信,上殿明良
  • 通讯作者:
    秩父重英,小島一信,上殿明良
自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)
自支撑GaN衬底上m面Al1-xInxN外延薄膜的发射特性(IV)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. F. Chichibu;K. Kojima;Y. Yamazaki;and K. Furusawa;秩父重英,小島一信,上殿明良;秩父重英,小島一信,山崎芳樹,佐藤義孝,上殿明良
  • 通讯作者:
    秩父重英,小島一信,山崎芳樹,佐藤義孝,上殿明良
青色LED超えるか? 深紫外~緑色の偏光光源開発
它会超越蓝光 LED 吗?
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Defect-resistant luminescent probability of m-plane AlInN alloy films for deep ultraviolet and visible polarized light-emitters
深紫外可见偏振光发射器m面AlInN合金薄膜的抗缺陷发光概率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. F. Chichibu;K. Kojima;A. Uedono;and Y. Sato
  • 通讯作者:
    and Y. Sato
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Demonstration of omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for precise determination of internal quantum efficiency of radiation in GaN single crystals
演示用于精确测定 GaN 单晶辐射内量子效率的全向光致发光 (ODPL) 光谱
  • DOI:
    10.1063/1.4995398
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Kojima Kazunobu;Ikeda Hirotaka;Fujito Kenji;Chichibu Shigefusa F.
  • 通讯作者:
    Chichibu Shigefusa F.
SICMを用いたがん細胞の評価
使用 SICM 评估癌细胞
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Uedono Akira;Tanaka Ryo;Takashima Shinya;Ueno Katsunori;Edo Masaharu;Shima Kohei;Kojima Kazunobu;Chichibu Shigefusa F.;Ishibashi Shoji;Tomi Ohtsuki;石田 暢之;渡邉信嗣
  • 通讯作者:
    渡邉信嗣
Analysis of KS eigenfunctions using a CNN in simulations of the MIT in doped semiconductors
在掺杂半导体的 MIT 模拟中使用 CNN 分析 KS 特征函数
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Uedono Akira;Tanaka Ryo;Takashima Shinya;Ueno Katsunori;Edo Masaharu;Shima Kohei;Kojima Kazunobu;Chichibu Shigefusa F.;Ishibashi Shoji;Tomi Ohtsuki
  • 通讯作者:
    Tomi Ohtsuki
Theoretical analysis of photo recycling effect on external quantum efficiency considering spatial carrier dynamics
考虑空间载流子动力学的光循环效应对外量子效率的理论分析
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab5b4d
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Asai Hidehiro;Kojima Kazunobu;Chichibu Shigefusa;Fukuda Koichi
  • 通讯作者:
    Fukuda Koichi
ケルビンプローブフォース顕微鏡によるオペランド電位計測技術
使用开尔文探针力显微镜的操作电位测量技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Uedono Akira;Tanaka Ryo;Takashima Shinya;Ueno Katsunori;Edo Masaharu;Shima Kohei;Kojima Kazunobu;Chichibu Shigefusa F.;Ishibashi Shoji;Tomi Ohtsuki;石田 暢之
  • 通讯作者:
    石田 暢之

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Realization of a method to visualize the distribution of threading dislocations and point defects in semiconductor crystals
半导体晶体中穿透位错和点缺陷分布可视化方法的实现
  • 批准号:
    18K19028
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Quantification of the point defect concentration in gallium nitride based on measurement of the absolute quantum efficiency of radiation
基于辐射绝对量子效率的测量对氮化镓中的点缺陷浓度进行量化
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    17H04809
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Exploring optoelectronic nanostructures for the enhancement and inhibitation of luminescence
探索光电纳米结构增强和抑制发光
  • 批准号:
    26706003
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

相似国自然基金

基于AlGaN原子层外延的大功率深紫外发光器件研究
  • 批准号:
    61774004
  • 批准年份:
    2017
  • 资助金额:
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  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

Development of an ultra-slow muon source using high power DUV laser for the exploration of physics beyond the standard model.
使用高功率 DUV 激光器开发超慢 μ 子源,用于超越标准模型的物理探索。
  • 批准号:
    23K13131
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Development of self-driven nano light sources that control photochemical reaction fields
开发控制光化学反应场的自驱动纳米光源
  • 批准号:
    22H01786
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
深紫外LEDで実現する有機材料の光物質プロセスの探究と制御された生産技術の確立
利用深紫外LED实现有机材料光学材料工艺的探索及受控生产技术的建立
  • 批准号:
    22K04199
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
循環水の紫外線処理を考慮した微生物および化学線量計の検討
考虑循环水紫外线处理的微生物及化学剂量计研究
  • 批准号:
    22K12480
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Application of Mercury-Free Film Type Ultraviolet Light Source to Low Transmittance Wastewater.
无汞薄膜式紫外光源在低透光率废水处理中的应用。
  • 批准号:
    19K12390
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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知道了