Electric-field control of surface plmons on Mott-insulator oxides
莫特绝缘体氧化物表面等离子体的电场控制
基本信息
- 批准号:15K13331
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(35)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
酸化物プラズモニックマテリルを用いた透明反射遮熱技術への応用
氧化物等离子体材料在透明反射隔热技术中的应用
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Matsui1;A. Ikehata and H. Tabata;Hiroaki Matsui;松井裕章;Hiroaki Matsui;松井裕章
- 通讯作者:松井裕章
Reflective heat-insulating applications using transparent oxide semiconductors based on plasmonic hybridizations
使用基于等离子体杂化的透明氧化物半导体的反射隔热应用
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Matsui;T. Hasebe and H. Tabat
- 通讯作者:T. Hasebe and H. Tabat
透明遮熱断熱フィルムに向けたナノ光学設計とその実証
透明隔热膜纳米光学设计与演示
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Matsui1;A. Ikehata and H. Tabata;Hiroaki Matsui;松井裕章
- 通讯作者:松井裕章
Plasmonic appraxh to oxide semiconductors
氧化物半导体的等离子体方法
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Matsui1;A. Ikehata and H. Tabata;Hiroaki Matsui;松井裕章;Hiroaki Matsui
- 通讯作者:Hiroaki Matsui
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Matsui Hiroaki其他文献
Structure prediction of the N-terminal regulatory domain of the human tryptophan hydroxylase 2
人色氨酸羟化酶2 N端调节域的结构预测
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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- 发表时间:
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
Nawaly Hermanus;Matsui Hiroaki;Tsuji Yoshinori;Iwayama Kazufumi;Ohashi Hiroki;Nakajima Kensuke;Matsuda Yusuke;江波進一;米田一路,西山正晃,渡部徹 - 通讯作者:
米田一路,西山正晃,渡部徹
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2022 - 期刊:
- 影响因子:6.9
- 作者:
Nawaly Hermanus;Matsui Hiroaki;Tsuji Yoshinori;Iwayama Kazufumi;Ohashi Hiroki;Nakajima Kensuke;Matsuda Yusuke - 通讯作者:
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通过后氧化和退火相结合的顶栅薄膜晶体管 TiN/Al2O3/ZnO 栅堆叠工程
- DOI:
10.1063/1.5020080 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:
Kato Kimihiko;Matsui Hiroaki;Tabata Hitoshi;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi - 通讯作者:
Takagi Shinichi
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Development of surface plasmon chromics based on oxide semiconductors
基于氧化物半导体的表面等离子体变色技术的发展
- 批准号:
18H01468 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
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- 批准号:
25600073 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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氧化物量子阱界面晶体对称性破缺与偏振光电转换
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- 批准号:62364003
- 批准年份:2023
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- 批准号:52362042
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- 批准号:
22K14567 - 财政年份:2022
- 资助金额:
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Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Modeling and application of phase transition VO2 devices for high speed modulation of Terahertz wave
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- 批准号:
21K04868 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Deposition and application of ultra-thin phase transition oxide thin films by high power pulsed magnetron sputtering
高功率脉冲磁控溅射超薄相变氧化物薄膜的沉积及应用
- 批准号:
20K14455 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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单VO2纳米粒子电子纳米开关器件的制备和表征
- 批准号:
20K15145 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
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利用单晶VO2薄膜构建超快质子装置
- 批准号:
19K22129 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)