Electric-field control of surface plmons on Mott-insulator oxides

莫特绝缘体氧化物表面等离子体的电场控制

基本信息

  • 批准号:
    15K13331
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(35)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
酸化物プラズモニックマテリルを用いた透明反射遮熱技術への応用
氧化物等离子体材料在透明反射隔热技术中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Matsui1;A. Ikehata and H. Tabata;Hiroaki Matsui;松井裕章;Hiroaki Matsui;松井裕章
  • 通讯作者:
    松井裕章
Reflective heat-insulating applications using transparent oxide semiconductors based on plasmonic hybridizations
使用基于等离子体杂化的透明氧化物半导体的反射隔热应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Matsui;T. Hasebe and H. Tabat
  • 通讯作者:
    T. Hasebe and H. Tabat
透明遮熱断熱フィルムに向けたナノ光学設計とその実証
透明隔热膜纳米光学设计与演示
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Matsui1;A. Ikehata and H. Tabata;Hiroaki Matsui;松井裕章
  • 通讯作者:
    松井裕章
酸化物半導体のナノプラズモニック励起とキャリア制御
氧化物半导体中的纳米等离子体激发和载流子控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松井裕章;田畑仁
  • 通讯作者:
    田畑仁
Plasmonic appraxh to oxide semiconductors
氧化物半导体的等离子体方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Matsui1;A. Ikehata and H. Tabata;Hiroaki Matsui;松井裕章;Hiroaki Matsui
  • 通讯作者:
    Hiroaki Matsui
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  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    Naoki Matsumoto
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nawaly Hermanus;Matsui Hiroaki;Tsuji Yoshinori;Iwayama Kazufumi;Ohashi Hiroki;Nakajima Kensuke;Matsuda Yusuke;井上 千弘,黄田 毅,簡 梅芳
  • 通讯作者:
    井上 千弘,黄田 毅,簡 梅芳
カンボジア王国トンレサップ湖における大腸菌濃度と水系感染症リスクの時空間分布
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nawaly Hermanus;Matsui Hiroaki;Tsuji Yoshinori;Iwayama Kazufumi;Ohashi Hiroki;Nakajima Kensuke;Matsuda Yusuke;江波進一;米田一路,西山正晃,渡部徹
  • 通讯作者:
    米田一路,西山正晃,渡部徹
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  • DOI:
    10.1093/jxb/erac380
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.9
  • 作者:
    Nawaly Hermanus;Matsui Hiroaki;Tsuji Yoshinori;Iwayama Kazufumi;Ohashi Hiroki;Nakajima Kensuke;Matsuda Yusuke
  • 通讯作者:
    Matsuda Yusuke
TiN/Al2O3/ZnO gate stack engineering for top-gate thin film transistors by combination of post oxidation and annealing
通过后氧化和退火相结合的顶栅薄膜晶体管 TiN/Al2O3/ZnO 栅堆叠工程
  • DOI:
    10.1063/1.5020080
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Kato Kimihiko;Matsui Hiroaki;Tabata Hitoshi;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
  • 通讯作者:
    Takagi Shinichi

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    20K14455
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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    20K15145
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    $ 2.5万
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  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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知道了