Development of production process of high gas barrier films by plasma chemical vapor deposition

等离子体化学气相沉积高阻气薄膜生产工艺开发

• 批准号: 25630357
• 负责人: KAWASE MOTOAKI
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25630357/
• 关键词: プラズマCVD; シリカ膜; ヘキサメチルジシロキサン; キャリアガス; 膜組成; 膜特性; ガスバリア; 積層膜; PENフィルム; ガス透過セル; 成膜前駆体; 膜密度; 成膜速度; 原料組成比; 雰囲気ガス; 膜構造

项目成果

プラズマＣＶＤ法を用いたシリカ系ガスバリア膜の作製とガス透過速度の測定

采用等离子体CVD法制备二氧化硅基阻气膜并测量气体透过率

• 发表时间: 2015
• 作者: Erika Takeda;Toshiki Deguchi;Hiroyuki Otsu and Motoaki Kawase;竹田依加 ・出口利樹 ・大津啓幸 ・河瀬元明;大津啓幸・竹田依加・河瀬元明
• 通讯作者: 大津啓幸・竹田依加・河瀬元明

プラズマCVD法で作製したシリカ膜構造へのキャリアガスの影響

载气对等离子体CVD法制备二氧化硅薄膜结构的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: Erika Takeda;Toshiki Deguchi;Motoaki Kawase;竹田依加・出口利樹・河瀬元明
• 通讯作者: 竹田依加・出口利樹・河瀬元明

Effects of feed gas composition on the properties of silica film prepared by plasma CVD

原料气组成对等离子体CVD制备二氧化硅薄膜性能的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: Erika Takeda;Toshiki Deguchi;Motoaki Kawase
• 通讯作者: Motoaki Kawase

CVD OF SILICA FILM FROM HEXAMETHYLDISILOXANE AND OXYGEN

用六甲基二硅氧烷和氧气 CVD 制备二氧化硅薄膜

• 发表时间: 2013
• 作者: Erika Takeda;Ryo Takahashi;Sho Nagaya;Motoaki Kawase
• 通讯作者: Motoaki Kawase

プラズマCVD法によるヘキサメチルジシロキサンと酸素からのシリカ成膜

使用等离子体 CVD 方法从六甲基二硅氧烷和氧气形成二氧化硅膜

• 发表时间: 2013
• 作者: Erika Takeda;Ryo Takahashi;Sho Nagaya;Motoaki Kawase;竹田 依加・ 永冶 渉・ 高橋 諒・ 河瀬 元明
• 通讯作者: 竹田 依加・ 永冶 渉・ 高橋 諒・ 河瀬 元明