半導体準結晶・近似結晶による高性能熱電素子の創製

使用半导体准晶体和近似晶体创建高性能热电元件

基本信息

  • 批准号:
    23K26367
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 5.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-02-28 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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    2027
  • 资助金额:
    $ 5.16万
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  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    $ 5.16万
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    Studentship
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