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半導体中に量子ビットを自在に形成するナノスケール単一イオン注入
纳米级单离子注入可在半导体中自由形成量子位
基本信息
- 批准号：23K25134
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-02-28 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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佐藤 真一郎其他文献
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- DOI：
- 发表时间：
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Ying Jiang
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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大島 武
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- DOI：
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- 影响因子：0
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{{ truncateString('佐藤 真一郎', 18)}}的其他基金
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质子、α 和 γ 辐照辅助应力腐蚀开裂：了解燃料-不锈钢界面
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