水素の出し入れで動作するメモリスタ素子実現へのカギ:水素リザーバー電極の探索
实现忆阻元件通过供给和抽出氢气进行工作的关键:寻找储氢电极
基本信息
- 批准号:23K19174
- 负责人:
- 金额:$ 1.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-08-31 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
山崎 智之其他文献
ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用
利用氢阴离子电脱嵌实现氢氧根电阻变化及其在电阻变化存储器中的应用
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
山崎 智之; 高岡 遼生; 飯村 壮史; 金 正煥; 平松 秀典; 細野 秀雄 - 通讯作者:
細野 秀雄
部材温度と振動振幅が単純PC梁の固有振動特性へ与える影響
构件温度和振幅对简PC梁自振特性的影响
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
宮森 保紀;小川 大智;齊藤 剛彦;山崎 智之 - 通讯作者:
山崎 智之
山崎 智之的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('山崎 智之', 18)}}的其他基金
次世代燃料電池ITFCの高性能空気極の開発:酸素へのスピン注入によるORRブースト
开发下一代燃料电池ITFC的高性能空气电极:通过自旋注入氧气提高ORR
- 批准号:
24K17762 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
相似海外基金
Artificial synaptic crossbar array memristors with interneuron function
具有中间神经元功能的人工突触交叉阵列忆阻器
- 批准号:
21K18723 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
におい識別に向けた金属酸化物メモリスタによるセンサ時系列データ処理技術の基盤構築
使用金属氧化物忆阻器进行气味识别,为传感器时间序列数据处理技术奠定基础
- 批准号:
21K14211 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Heterosynaptic platform functionalized by topological control of oxygen vacancy distribution in memristive devices
通过忆阻器件中氧空位分布的拓扑控制实现功能化的异质突触平台
- 批准号:
20H00248 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 1.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
通过电阻开关氧化物的原子尺度观察提出用于人工突触的高性能材料
- 批准号:
19K04484 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Molecular Ferroelectric Properties of Dynamical Molecular Assemblies
动态分子组装体的分子铁电性质
- 批准号:
19H00886 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)