バルクAlN結晶の低温気相成長法の開発
大块 AlN 晶体低温气相生长方法的开发
基本信息
- 批准号：23K17884
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-06-30 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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安達 正芳其他文献
電磁浮遊法を用いた溶融Co-Cr-Mo系合金の表面張力測定
电磁悬浮法测量熔融钴铬钼合金的表面张力
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
今泉 冴香;大塚 誠;安達 正芳;渡邉 学;趙 宇凡;小泉 雄一郎;千葉 晶彦;福山 博之 - 通讯作者：
福山 博之
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Development of novel bulk AlN crystal growth method using Ni-Al solution
使用 Ni-Al 溶液开发新型块状 AlN 晶体生长方法
- 批准号：
20H02633 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似国自然基金
Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
- 批准号：10774081
- 批准年份：2007
- 资助金额：45.0 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
利用非平衡等离子体晶体生长技术制造超高压氮化铝半导体电子器件
- 批准号：
23K26557 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
利用非平衡等离子体晶体生长技术制造超高压氮化铝半导体电子器件
- 批准号：
23H01864 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
種結晶からエピ成長まで一気通貫のバルク結晶技術の実現に向けたAlNロッドの開発
开发AlN棒，实现从籽晶到外延生长的集成体晶技术
- 批准号：
22K18896 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
New concept for crystal growth of nitride semiconductors using extended degree of freedom
使用扩展自由度进行氮化物半导体晶体生长的新概念
- 批准号：
21H04609 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Low dislocation AlN growth by super high temperature MOVPE in jet engine model
喷气发动机模型中超高温 MOVPE 低位错 AlN 生长
- 批准号：
20K21006 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)