Development of novel ferromagnetic tunnel contacts for efficient Si spintronic devices

开发用于高效硅自旋电子器件的新型铁磁隧道接触

• 批准号: 18K13807
• 负责人: Spiesser Aurelie
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K13807/
• 关键词: tunnel barrier; magnetic tunnel contact; magnetoresistance ratio; epitaxial growth; oxide tunnel barrier; coherent tunneling; spin transport in Si; spintronics

项目成果

High Tunnel Magnetoresistance at Room Temperature in Fully Epitaxial Fe/MgO/Fe Tunnel Junctions due to Coherent Spin-Polarized Tunneling

由于相干自旋极化隧道效应，全外延 Fe/MgO/Fe 隧道结在室温下具有高隧道磁阻

• DOI: 10.1143/jjap.43.l588
• 发表时间: 2004-04-02
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: S. Yuasa;A. Fukushima;T. Nagahama;K. Ando;Yoshishige Suzuki
• 通讯作者: Yoshishige Suzuki

SrO障壁層を有する単結晶磁気トンネル接合の磁気抵抗効果

带SrO势垒层的单晶磁隧道结的磁阻效应

• 发表时间: 2019
• 作者: 昆慎太郎; 昆慎太郎; A. Spiesser; 安川雪子; 湯浅新治; 齋藤秀和
• 通讯作者: 齋藤秀和

Quantification of spin drift in nonlocal devices with a heavily-doped Si channel

具有重掺杂硅通道的非局域器件中自旋漂移的量化

• 发表时间: 2018
• 作者: A. Spiesser; H. Saito; Y. Fujita; S. Yamada; K. Hamaya; W. Mizubayashi; K. Endo; S. Yuasa;R. Jansen
• 通讯作者: R. Jansen

Quantification of spin drift in nonlocal devices with a heavily-doped Si channel

具有重掺杂硅通道的非局域器件中自旋漂移的量化

• 发表时间: 2018
• 作者: A. Spiesser; H. Saito; Y. Fujita; S. Yamada; K. Hamaya; W. Mizubayashi; K. Endo; S. Yuasa;R. Jansen
• 通讯作者: R. Jansen

Spin-Polarized Coherent Tunneling in Fully Epitaxial Magnetic Tunnel Junctions with SrO Tunnel Barrier

具有 SrO 隧道势垒的全外延磁隧道结中的自旋极化相干隧道

• 发表时间: 2019
• 作者: Spiesser Aurelie; S; Kon; Y. Yasukawa; S. Yuasa;H. Saito
• 通讯作者: H. Saito