Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals
使用硅纳米晶体开发导电钝化层
基本信息
- 批准号：19K21110
- 负责人：
- 金额：$ 1.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-08-24 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts
- DOI：10.1109/pvsc45281.2020.9300609
- 发表时间：2020-06
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryohei Tsubata;K. Gotoh;Y. Kurokawa;N. Usami
- 通讯作者：Ryohei Tsubata;K. Gotoh;Y. Kurokawa;N. Usami
Explorative Studies of Novel Structures as Carrier Selective Contacts
作为载流子选择性接触的新型结构的探索性研究
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryohei Tsubata;Yuta Nakagawa;Kazuhiro Gotoh;Yasuyoshi Kurokawa;Noritaka Usami
- 通讯作者：Noritaka Usami
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- 影响因子：0
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K. Hayashi，R. Wang，K. Nakashita，Y. Kainuma，M. Ito，T. An
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2020 - 期刊：
- 影响因子：2.9
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Usami Noritaka
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- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
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小野新平
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使用硅纳米晶体开发导电钝化层
- 批准号：
20K15127 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 1.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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24K19801 - 财政年份：2024
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24H02556 - 财政年份：2024
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