Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals

使用硅纳米晶体开发导电钝化层

基本信息

批准号：
20K15127
负责人：
Gotoh Kazuhiro
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（28）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

DEVELOPMENT OF SILICON-NANOCRYSTALS-EMBEDDED SILICON OXIDE PASSIVATING CONTACTS FOR USE IN CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS

用于晶体硅太阳能电池的硅纳米晶体嵌入氧化硅钝化触点的开发

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Gotoh;R. Tsubata;M. Matsumi;M. Wilde;T. Inoue; Y. Kurokawa;K. Fukutani and N. Usami
通讯作者：
K. Fukutani and N. Usami

Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts

DOI：
10.1109/pvsc45281.2020.9300609
发表时间：
2020-06
期刊：
2020 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
影响因子：
0
作者：
Ryohei Tsubata;K. Gotoh;Y. Kurokawa;N. Usami
通讯作者：
Ryohei Tsubata;K. Gotoh;Y. Kurokawa;N. Usami

Scientists fabricate novel electrical component

科学家制造出新型电气元件

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Study on carrier transport pathways in silicon nanocrystal/silicon oxide composite films

硅纳米晶/氧化硅复合薄膜中载流子传输路径的研究

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Asaki Arata;Kazuhiro Gotoh;Shigeru Yamada;Yasuyoshi Kurokawa;Takashi Itoh;Noritaka Usami
通讯作者：
Noritaka Usami

Recent progress in carrier-selective materials for crystalline silicon solar cells

晶体硅太阳能电池载流子选择性材料的最新进展

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuhiro Gotoh
通讯作者：
Kazuhiro Gotoh

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Gotoh Kazuhiro其他文献

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氮化物半导体生长计算材料科学的最新进展 I

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Mochizuki Takeya;Gotoh Kazuhiro;Ohta Akio;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Miyazaki Seiichi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;Tomonori Ito
通讯作者：
Tomonori Ito

Improving Intrinsic Silicon Nanoparticle Film by Press Treatment for use in p?i?n Solar Cells

通过压制处理改善本征硅纳米颗粒薄膜，用于 p?i?n 太阳能电池

DOI：
10.1109/pvsc.2018.8547319
发表时间：
2018
期刊：
Proceedings of the 7th Edition of the World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)
影响因子：
0
作者：
Ichihara Eiji;Kato Shinya;Akaishi Ryushiro;Gotoh Kazuhiro;Kurokawa Yasuyoshi;Kishi Naoki;Soga Tetsuo
通讯作者：
Soga Tetsuo

Fabrication of NV centers-hosted diamond tip via FIB for scanning probe

通过 FIB 制造用于扫描探针的 NV 中心托管金刚石尖端

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;K. Hayashi，R. Wang，K. Nakashita，Y. Kainuma，M. Ito，T. An
通讯作者：
K. Hayashi，R. Wang，K. Nakashita，Y. Kainuma，M. Ito，T. An

Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition

氢等离子体处理对原子层沉积晶体硅TiOx钝化性能的影响

DOI：
10.1116/1.5134720
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology A
影响因子：
2.9
作者：
Miyagawa Shinsuke;Gotoh Kazuhiro;Ogura Shohei;Wilde Markus;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka
通讯作者：
Usami Noritaka

イオンを利用した新しいエレクトロニクス

使用离子的新型电子产品

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nakagawa Yuta;Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;小野新平
通讯作者：
小野新平