Detection of structural fluctuation in ultra-thin organic ferroelectric film

超薄有机铁电薄膜结构波动的检测

• 批准号: 18K18868
• 负责人: TSUKAGOSHI Kazuhito
• 金额: $ 3.99万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-06-29 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K18868/
• 关键词: 分子ナノ薄膜; 強誘電特性; 分子挙動; 分子厚結晶; 誘電特性

项目成果

3.Heterojunction based on atomically thin semiconductor and its application

3.基于原子薄半导体的异质结及其应用

• 发表时间: 2018
• 作者: R. Kobayashi,;T. Nabatame;K. Kurishima;T. Onaya;A. Ohi;N. Ikeda;T. Nagata;K. Tsukagoshi;A. Ogura,;K.Tsukagoshi;K.Tsukagoshi;K.Tsukagoshi
• 通讯作者: K.Tsukagoshi

Solution-processed organometallic quasi-2D nanosheet as hole buffer layer for organic light-emitting devices with extend lifetime

溶液加工的有机金属准二维纳米片作为空穴缓冲层，用于延长有机发光器件的使用寿命

• 发表时间: 2019
• 作者: S.Liu;Y.-C.Wang;T.Yasuda;K.Nakazato;H.Maeda;N.Fukui;P.Long;H.Nishihara;K.Tsukagoshi,
• 通讯作者: K.Tsukagoshi,

Solution-processed organic single-crystalline semiconductors with a fence-like shape via ultrasound concussion

通过超声震荡溶液处理具有栅栏状形状的有机单晶半导体

• DOI: 10.1039/c9tc06635g
• 发表时间: 2020
• 期刊: Journal of Materials Chemistry C
• 影响因子: 6.4
• 作者: Zhang Bowen;Wang Qijing;Guo Jianhang;Pei Mengjiao;Wang Hengyuan;Jiang Sai;Shin Eul-Yong;Noh Yong-Young;Tsukagoshi Kazuhito;Shi Yi;Li Yun
• 通讯作者: Li Yun

Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3

使用乙基环戊二烯基铟 (ln-EtCp) 和 H2O 和 O3 通过低温 ALD 制造的碳掺杂 In2O3 薄膜的氧化物 TFT 的特性

• DOI: 10.1149/09203.0003ecst
• 发表时间: 2019
• 期刊: ECS Transactions
• 作者: Kobayashi Riku;Nabatame Toshihide;Kurishima Kazunori;Onaya Takashi;Ohi Akihiko;Ikeda Naoki;Nagata Takahiro;Tsukagoshi Kazuhito;Ogura Atsushi
• 通讯作者: Ogura Atsushi

Seminar in School of Electronic Science and Engineering Nanjing University

南京大学电子科学与工程学院研讨会

• 发表时间: 2019