Graphene atomic film transistor with gate-tunable band-gap

具有栅极可调带隙的石墨烯原子膜晶体管

基本信息

批准号：
21241038
负责人：
TSUKAGOSHI Kazuhito
金额：
$ 30.12万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21241038/
关键词：
グラフェン電気伝導電界効果基礎物性自己形成

项目摘要

We have realized a practical wide band gap in bilayer graphene. The gap was induced by an electric field applied by dual-gate sandwiching the bilayer graphene. A self-assembled gate insulator enabled us to apply a large electric field which enhanced the band gap. The wide band gap allowed for operation of a logic gate composed of bilayer graphene transistors. These results predict that graphene electronics will possibly be realized as emerging transistors with an atomically thin semiconductor.

我们已经在双层石墨烯中实现了实用的宽带隙。该间隙是由夹着双层石墨烯的双栅极施加的电场引起的。自组装栅极绝缘体使我们能够施加大电场，从而增强带隙。宽带隙允许由双层石墨烯晶体管组成的逻辑门运行。这些结果预测石墨烯电子器件可能会被实现为具有原子级薄半导体的新兴晶体管。

项目成果

期刊论文数量（102）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Temperature dependence of conductance in bilayer graphene with electric-field-induced band gap

电场诱导带隙双层石墨烯电导率的温度依赖性

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Miyazaki;S. Li;A. Kanda;K. Tsukagoshi
通讯作者：
K. Tsukagoshi

Anisotropic transport in epitaxial graphene transistor on vicinal SiC substrate

邻位 SiC 衬底上外延石墨烯晶体管的各向异性输运

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Odaka;H. Miyazaki;A. Kanda;K. Morita;S. Tanaka;Y. Miyata;H. Kataura;K. Tsukagoshi;Y. Aoyagi
通讯作者：
Y. Aoyagi

Bilayer graphene p-i-n tunnel junction controlled by modulated top gate

由调制顶栅控制的双层石墨烯 p-i-n 隧道结

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Miyazaki;S.-L. Li;K. Tsukagoshi
通讯作者：
K. Tsukagoshi

Graphene and its fascinating attributes

DOI：
10.1142/7989
发表时间：
2011-03
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Pati;T. Enoki;C. Rao
通讯作者：
S. Pati;T. Enoki;C. Rao

新たな世界を作り出した物質"グラフェン"-流れを引き寄せた洞察力-

石墨烯，创造新世界的物质——引领潮流的洞察力——

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
岩波「科学」
影响因子：
0
作者：
塚越一仁;若林克法
通讯作者：
若林克法

DOI：
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作者：
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TSUKAGOSHI Kazuhito其他文献

Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress

Al2O3 钝化层 In-Si-O-C 薄膜晶体管在负、正栅极偏压应力下阈值电压漂移的抑制

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazunori Kurishima;NABATAME Toshihide;ONAYA Takashi;TSUKAGOSHI Kazuhito;OHI Akihiko;IKEDA Naoki;NAGATA Takahiro;OGURA Atsushi
通讯作者：
OGURA Atsushi