faituge

疲劳

基本信息

  • 批准号:
    18K18807
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-06-29 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(34)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Outstanding Property in Fatigue Strength of Thin Film Comprising of Copper Helical Nano-Elements Grown by Glancing Angle Deposition
掠射角沉积法生长的铜螺旋纳米元薄膜的疲劳强度优异
  • DOI:
    10.2472/jsms.68.845
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    菅 大暉;宮原 正明;伊藤 元雄;武市 泰男;山口 亮;薮田 ひかる;大谷 栄治;金子遼太,山本幹也,澄川貴志,北村隆行
  • 通讯作者:
    金子遼太,山本幹也,澄川貴志,北村隆行
SEMピコインデンターを用いた微小材料の強度特性評価
使用 SEM pico denter 表征微材料的强度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yabin Yan;Kai Huang;Takashi Sumigawa;Takayuki Kitamura;澄川貴志
  • 通讯作者:
    澄川貴志
ノルウェー科学技術大学(ノルウェー)
挪威科技大学(挪威)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
双晶境界を有するマイクロ銅の引張圧縮疲労過程その場観察
孪晶界微铜拉伸压缩疲劳过程的原位观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yabin Yan;Kai Huang;Takashi Sumigawa;Takayuki Kitamura;澄川貴志;澄川貴志;澄川貴志;澄川貴志;澄川貴志;安井千央
  • 通讯作者:
    安井千央
Unstable cracking behavior in nanoscale single crystal silicon: Initiation, unstable propagation and arrest
纳米级单晶硅的不稳定裂纹行为:起始、不稳定扩展和停止
  • DOI:
    10.1016/j.engfracmech.2018.04.014
  • 发表时间:
    2018-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Huang Kai;Sumigawa Takashi;Guo Licheng;Yan Yabin;Kitamura Takayuki
  • 通讯作者:
    Kitamura Takayuki
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  • 通讯作者:
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  • 作者:
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Sumigawa Takashi其他文献

Characterization and Security Certification of a Practical Quantum Key Distribution System
实用量子密钥分配系统的表征和安全认证
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sumigawa Takashi;Shimada Takahiro;Huang Kai;Mizuno Yuki;Hagiwara Yohei;Ozaki Naoki;Kitamura Takayuki;Akihisa Tomita
  • 通讯作者:
    Akihisa Tomita
Domain-independent I-integrals for force and couple stress intensity factor evaluations of a crack in micropolar thermoelastic medium
用于微极性热弹性介质中裂纹的力和耦合应力强度因子评估的与域无关的 I 积分

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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 通讯作者:
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Construction of design platform for controlling collective dislocation structure and creation of nano-scale multi-physics network
控制集体位错结构设计平台的构建和纳米级多物理网络的创建
  • 批准号:
    20K20963
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Fatigue of nano-metals
纳米金属的疲劳
  • 批准号:
    18H03753
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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纳米金属特征疲劳行为的阐明及其机械基础的构建
  • 批准号:
    15H02210
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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通过共振疲劳测试研究纳米级金属的疲劳损伤
  • 批准号:
    26630009
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

相似海外基金

パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
  • 批准号:
    24K08270
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    2024
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    $ 4.08万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    24K01297
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    2024
  • 资助金额:
    $ 4.08万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 财政年份:
    2024
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    $ 4.08万
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III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
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    23K21082
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
  • 批准号:
    24KJ1553
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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