Research on behavior of the recombination defect of minority carriers depending on the internal built in potential in PN junctions
PN结内建电位影响少数载流子复合缺陷行为的研究
基本信息
- 批准号:18K04225
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
MICROWAVE RAPID HEATING SYSTEM USING CARBON HEATING TUBE
使用碳加热管的微波快速加热系统
- DOI:10.4995/ampere2019.2019.9756
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Sameshima; T. Kikuchi; T. Uehara; T. Arima; M. Hasumi; T. Miyazaki; G. Kobayashi;I. Serizawa
- 通讯作者:I. Serizawa
MICROWAVE RAPID HEATING SYSTEM USING CARBON HEATING TUBE
使用碳加热管的微波快速加热系统
- DOI:10.4995/ampere2019.2019.9756
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Sameshima; T. Kikuchi; T. Uehara; T. Arima; M. Hasumi; T. Miyazaki; G. Kobayashi;I. Serizawa
- 通讯作者:I. Serizawa
Surface Passivation of Crystalline Silicon by Heat Treatment in Liquid Water and Its Application to Improve the Interface Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Structures
液态水中热处理晶体硅表面钝化及其在改善金属-氧化物-半导体结构界面性能中的应用
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Toshiyuki Sameshima
- 通讯作者:Toshiyuki Sameshima
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Samesima Toshiyuki其他文献
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