Formulation of multiscale thermal model in SiC power semiconductor device

SiC功率半导体器件多尺度热模型的建立

• 批准号: 18K13707
• 负责人: KIBUSHI Risako
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Toyama Prefectural University (2021-2022)Tokyo University of Science, Yamaguchi (2018-2020)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K13707/
• 关键词: サーマルマネジメント; パワーエレクトロニクス; ホットスポット; 熱設計; パワー半導体; SiC; 熱・電気連成解析; 熱・電気錬成解析; パワー半導体デバイス; CFD解析

项目成果

SiC MOSFET のホットスポット温度予測手法の検討 - ドレイン電圧と冷却面温度の影響

SiC MOSFET热点温度预测方法研究——漏极电压和冷却表面温度的影响

• 发表时间: 2022
• 作者: 小西太一;木伏 理沙子;畠山友行;石塚 勝
• 通讯作者: 石塚 勝

Heat Generation and Temperature Distribution of SiC Power MOSFET Using Electro-Thermal Analysis

使用电热分析研究 SiC 功率 MOSFET 的发热和温度分布

• 发表时间: 2018
• 作者: R. Kibushi;T. Hatakeyama;K. Yuki;N. Unno and M. Ishizuka
• 通讯作者: N. Unno and M. Ishizuka

Evaluation of Amount of Heat Through Each Component of SiC Package Using CFD Analysis

使用 CFD 分析评估 SiC 封装各组件的热量

• 发表时间: 2022
• 作者: T. Konishi;R. Kibushi;T. Hatakeyama;S. Nakawaga;M. Ishizuka
• 通讯作者: M. Ishizuka

VALUATION OF HEAT FLOW IN A TO-220 PACKAGE MADE OF SIC USING CFD SIMULATION

使用 CFD 模拟评估由 SIC 制成的 TO-220 封装中的热流

• 发表时间: 2022
• 作者: R. Kibushi;T. Konishi;T. Hatakeyama;S. Nakagawa;N. Unno;K. Yuki;M. Ishizuka;M. Edatsugi
• 通讯作者: M. Edatsugi

次世代SiCパワー半導体パッケージにおける信頼性向上のための熱設計手法の開発

开发热设计方法以提高下一代 SiC 功率半导体封装的可靠性

• 发表时间: 2020
• 作者: Kako Iwamoto;Masaki Okado;Junya Utsumi;Hirokazu Tatsuoka;and Yosuke Shimura;枝次将弥，木伏理沙子，結城和久，海野徳幸
• 通讯作者: 枝次将弥，木伏理沙子，結城和久，海野徳幸