Substratinduzierte Nanokristallisation amorpher Schichten

非晶薄膜的基底诱导纳米晶化

基本信息

批准号：
35266068
负责人：
Professor Dr. Harald Schmidt
金额：
--
依托单位：
Institut für Metallurgie
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2007
资助国家：
德国
起止时间：
2006-12-31 至 2011-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/35266068?language=en
关键词：
Substratinduzierte Nanokristallisation amorpher Schichten

项目摘要

Nanokristalline Schichten mit Dicken im Mikrometerbereich lassen sich sehr effizient durch die In-situ-Kristallisation amorpher Schichten herstellen, die durch Magnetronsputterdeposition abgeschieden werden. Der Kristallisationsprozess (Geschwindigkeit, Keimbildung, Mikrostrukturausbildung) hängt dabei von vielerlei Faktoren wie Temperatur, mechanische Spannungen, Reinheit des Ausgangsmaterials etc. ab. Am Beispiel von Siliciumcarbid (SiC) konnte gezeigt werden, dass auch das Substrat auf dem die Abscheidung erfolgte bei sonst gleichen Parametern einen entscheidenden Einfluss auf die Kristallisationsvorgänge und insbesondere auf die zugrunde liegende Kinetik hat. Ziel dieses Projekts ist die Untersuchung und Erklärung dieses Phänomens auf der Basis eines durch Punktdefekte kontrollierten Kristallisationsmechanismus sowie die Entwicklung einer Methode den Grad der Kristallisation sowie die Kristallitgröße unabhängig von der Temperatur gezielt zu beeinflussen. Hierzu sollen Experimente mit Dünnschicht- Röntgenbeugung und in Ergänzung mit Transmissions-Elektronenmikroskopie und spektroskopischen Methoden an amorphen Schichten durchgeführt werden, die auf den verschiedensten Substraten (z. B. Si, SiC, C, etc.) abgeschieden wurden. Die Kinetik der Punktdefekte und der Atome soll durch Selbstdiffusionsuntersuchungen charakterisiert werden, die mit Isotop-Heterostrukturen und Sekundärionen- Massenspektrometrie (SIMS) erfolgen. Aus den Ergebnissen soll ein Modell zur substratabhängigen Kristallisation amorpher Schichten erstellt werden, das einen defektkontrollierten Ansatz bestätigt oder widerlegt. Die Ergebnisse würden substantiell zum besseren Verständnis von Kristallisationsvorgängen dünner Schichten beitragen.

该公司在100万人中拥有强大的业务，并且还能够为所有人提供大量的支持。该公司在一百万年的时间里拥有强大的业务，还能够为所有人提供大量的支持。 Siliciumcarbid (SiC) konnte gezeigt werden, dass auch das Substrat auf dem die Abscheidung erfolgte bei sonst gleichen Parametern einen entscheidenden Einfluss auf die Kristallisationsvorgänge und insbesondere auf die zugrunde liegende Kinetik hat. Ziel Dieses projekts iSt Die untersuchungunklärungdiesesphänomensauf der eines durch durch durch punktdefekte kontrollierierten kristallisationsmechanistmentmenistmenistmenistmenistmenistmenistmegie sowie sowie die of kristallisation kristallisation kristallisation的方法是一种以一种新方法形式存在的方法。在美国和欧洲，克里斯金化方法的方法也被称为美国克里斯塔尔化的方法。获得世界上最好的最好方法是死亡。 Massenspektrometomeie（SIMS）的Isotop-Heterostrukturen是为了帮助您了解该模型的重要性，这是Kristallisation无定形Schichten Estellet的一种形式，也是世界上最好的。 Die Ergebnisse Besseren是人们可以享受Kristallisation的地方。