Wachstum und Überwachsen von InAs-Quantenpunkten

InAs 量子点的生长和过度生长

• 批准号: 35019820
• 负责人: Professor Dr. Mario Dähne
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/35019820?language=en
• 关键词: Wachstum; und; berwachsen; von; InAs

InAs-Quantenpunkte wachsen aufgrund einer Gitterfehlanpassung selbstorganisiert auf der GaAs(001)-Oberfläche und sind sowohl von grundlegendem als auch technologischem Interesse. Während ihre atomare Struktur und elektronischen Eigenschaften schon intensiv erforscht sind, sind die Elementarschritte der Quantenpunktbildung – beginnend mit der zweidimensionalen Benetzungsschicht – noch weitgehend unverstanden. Nachdem wir in der ersten Förderungsphase erstmalig die Wachstumsschritte der Benetzungsschicht bis hin zur Quantenpunktbildung mit Rastertunnelmikroskopie (STM) beobachten konnten, sind noch eine detaillierte strukturelle Analyse der sich dabei bildenden InGaAs-Schichten sowie eine Untersuchung der Vorgänge bei der Quanten-punktbildung erforderlich. Hierbei soll insbesondere die atomare Struktur der sich zunächst formenden Indiumanlagerungen, der daraufhin entstehenden (4x3)-rekonstruierten In2/3Ga1/3 As-Monolage sowie der sich darauf bildenden (2x4)-rekonstruierten Lage bestimmt werden. Von besonderem Interesse ist schließlich der Bereich der kritischen Schichtdicke der Quantenpunktbildung und die Rolle der (2x4)-rekonstruierten Lage, um die Elementarschritte beim Übergang von zwei- zum dreidimensionalen Wachstum zu verstehen.

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