Optical, electronic, and spin engineering by semiconductor/oxide composite nanowires

半导体/氧化物复合纳米线的光学、电子和自旋工程

基本信息

批准号：
19H00855
负责人：
Ishikawa Fumitaro
金额：
$ 28.95万
依托单位：
Hokkaido University (2021-2022)Ehime University (2019-2020)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（74）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Linkoping University(スウェーデン)

林雪平大学（瑞典）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Controlling Bi Provoked Nanostructure Formation in GaAs/GaAsBi Core-Shell Nanowires

控制 GaAs/GaAsBi 核壳纳米线中 Bi 激发纳米结构的形成

DOI：
10.1021/acs.nanolett.9b02932
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
10.8
作者：
Teruyoshi Matsuda; Kyohei Takada; Kosuke Yano; Rikuo Tsutsumi; Kohei Yoshikawa; Satoshi Shimomura; Yumiko Shimizu; Kazuki Nagashima;Takeshi Yanagida; Fumitaro Ishikawa
通讯作者：
Fumitaro Ishikawa

Cylindrical membrane made of enrolled GaAs/AlGaOx core-shell nanowires through the strain deformation of shell oxides

通过壳氧化物的应变变形由登记的GaAs/AlGaOx核壳纳米线制成的圆柱形膜

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hidetoshi Hashimoto; Takeru Tanigawa; Keisuke Minehisa; Kaito Nakama; Kazuki Nagashima; Takeshi Yanagida; Fumitaro Ishikawa
通讯作者：
Fumitaro Ishikawa

Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning

使用机器学习通过 MBE 生长估计半导体纳米线的最佳条件

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Hara; Y. Maeda; A. Kusaba; Y. Kangawa; F. Ishikawa; T. Okuyama
通讯作者：
T. Okuyama

パターン開口Si加工基板を用いたMBE 法によるGaAs 系ナノワイヤ成長条件最適化

使用图案化开口 Si 衬底的 MBE 方法优化 GaAs 纳米线生长条件

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
峰久恵輔; 橋本英季; 中間海音; 谷川武瑠; 行宗詳規; 石川史太郎
通讯作者：
石川史太郎

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Ishikawa Fumitaro其他文献

Molecular beam epitaxial growth of GaAs/GaNAsBi core?multishell nanowires

GaAs/GaNAsBi核的分子束外延生长？多壳纳米线

DOI：
10.35848/1882-0786/ac32a7
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
Okujima Masahiro;Yoshikawa Kohei;Mori Shota;Yukimune Mitsuki;Richards Robert D.;Zhang Bin;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;Ishikawa Fumitaro
通讯作者：
Ishikawa Fumitaro

Molecular beam epitaxial growth of GaAs/GaNAsBi core?multishell nanowires

GaAs/GaNAsBi核的分子束外延生长？多壳纳米线

DOI：
10.35848/1882-0786/ac32a7
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
Okujima Masahiro;Yoshikawa Kohei;Mori Shota;Yukimune Mitsuki;Richards Robert D.;Zhang Bin;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;Ishikawa Fumitaro
通讯作者：
Ishikawa Fumitaro

Molecular beam epitaxial growth of GaAs/GaNAsBi core?multishell nanowires

GaAs/GaNAsBi核的分子束外延生长？多壳纳米线

DOI：
10.35848/1882-0786/ac32a7
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
Okujima Masahiro;Yoshikawa Kohei;Mori Shota;Yukimune Mitsuki;Richards Robert D.;Zhang Bin;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;Ishikawa Fumitaro
通讯作者：
Ishikawa Fumitaro

Wafer-scale integration of GaAs/AlGaAs core?shell nanowires on silicon by the single process of self-catalyzed molecular beam epitaxy

通过自催化分子束外延单一工艺在硅上实现 GaAs/AlGaAs 核壳纳米线的晶圆级集成

DOI：
10.1039/d2na00848c
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
4.7
作者：
Minehisa Keisuke;Murakami Ryo;Hashimoto Hidetoshi;Nakama Kaito;Sakaguchi Kenta;Tsutsumi Rikuo;Tanigawa Takeru;Yukimune Mitsuki;Nagashima Kazuki;Yanagida Takeshi;Sato Shino;Hiura Satoshi;Murayama Akihiro;Ishikawa Fumitaro
通讯作者：
Ishikawa Fumitaro

Sn-V centers in diamond activated by ultra high pressure and high temperature treatment

通过超高压和高温处理激活金刚石中的 Sn-V 中心

DOI：
10.35848/1347-4065/abdc31
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Fukuta Rei;Murakami Yohei;Ohfuji Hiroaki;Shinmei Toru;Irifune Tetsuo;Ishikawa Fumitaro
通讯作者：
Ishikawa Fumitaro