Formation of directly-bonded interface between gallium oxide and group-IV semiconductor for power device application
用于功率器件应用的氧化镓和 IV 族半导体之间的直接键合界面的形成
基本信息
- 批准号:19H02182
- 负责人:
- 金额:$ 11.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
p-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding
表面活化键合制备 p-Si/n-Ga2O3 异质结构
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;Takahiro Kitada;Naoteru Shigekawa;and Masataka Higashiwaki
- 通讯作者:and Masataka Higashiwaki
Ga2O3 device physics and engineering for power electronics and new directions
Ga2O3器件物理与电力电子工程新方向
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masataka Higashiwaki;Takafumi Kamimura;Sandeep Kumar;Zhenwei Wang;Takahiro Kitada;Jianbo Liang;Naoteru Shigekawa;Hisashi Murakami;and Yoshinao Kumagai
- 通讯作者:and Yoshinao Kumagai
Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties
- DOI:10.1063/5.0080734
- 发表时间:2022-02
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;T. Kitada;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
- 通讯作者:Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;T. Kitada;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
ラマン分光法によるGa2O3ショットキーバリアダイオードの自己発熱評価
用拉曼光谱评估Ga2O3肖特基势垒二极管的自热
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:万 澤欣;高月 大輝;林 家弘;梁 剣波;東脇 正高;重川 直輝
- 通讯作者:重川 直輝
Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications
用于高功率器件应用的 Ga2O3/Si 直接键合界面的制造
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Jianbo Liang;Daiki Takatsuki;Shimizu Yasuo;Masataka Higashiwaki;Yutaka Ohno;Yasuyoshi Nagai;and Naoteru Shigekawa
- 通讯作者:and Naoteru Shigekawa
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遠藤いずみ,左近樹,尾中敬,癸生川陽子,小林憲正,横尾卓哉,三田肇,矢野創
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Zn0.2Fe2.8O4 纳米粒子的粒径控制和磁热热效应
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- 影响因子:0
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Jin Sakamoto
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$ 11.15万 - 项目类别:
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24K18665 - 财政年份:2024
- 资助金额:
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Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 批准号:
23K21105 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.15万 - 项目类别:
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