Study on the rate limiting process of the gate-induced phase transition and the speed limit of the phase transition transistor

栅致相变限速过程及相变晶体管速度极限研究

基本信息

  • 批准号:
    20H02615
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Next-generation switching devices based on metal-insulator transitions
基于金属-绝缘体转变的下一代开关器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takeaki Yajima
  • 通讯作者:
    Takeaki Yajima
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
铁电 HfO2 栅绝缘体对 VO2 金属-绝缘体转变的调制
  • DOI:
    10.1002/aelm.201901356
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.2
  • 作者:
    Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira
  • 通讯作者:
    Toriumi Akira
VO2金属絶縁体転移における静特性と過渡特性の結びつき
VO2金属-绝缘体转变中静态和瞬态特性之间的联系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浜砂 智; パティ サトウヤ プラカシュ; 矢嶋 赳彬
  • 通讯作者:
    矢嶋 赳彬
VO2三端子素子におけるゲート誘起相転移と温度誘起相転移の等価性
VO2三端器件中栅致相变与温度致相变的等价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浜砂 智; パティ サトウヤ プラカシュ; 矢嶋 赳彬
  • 通讯作者:
    矢嶋 赳彬
VO2三端子素子における絶縁転移の速度の研究
VO2三端器件绝缘转变速度的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浜砂 智; パティ サトウヤ プラカシュ; 矢嶋 赳彬
  • 通讯作者:
    矢嶋 赳彬
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Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken
  • 通讯作者:
    Uchida Ken
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
铁电 HfO2 栅绝缘体对 VO2 金属-绝缘体转变的调制
  • DOI:
    10.1002/aelm.201901356
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.2
  • 作者:
    Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira
  • 通讯作者:
    Toriumi Akira
Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition
静电门控金属-绝缘体转变过程中夹断效应的观察
  • DOI:
    10.1002/aelm.202100842
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.2
  • 作者:
    Yajima Takeaki;Toriumi Akira
  • 通讯作者:
    Toriumi Akira
Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
表面载流子散射对 Pt 纳米片载流子输运影响的原子模拟研究
  • DOI:
    10.1109/led.2021.3077466
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken
  • 通讯作者:
    Uchida Ken
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
铁电 HfO2 栅绝缘体对 VO2 金属-绝缘体转变的调制
  • DOI:
    10.1002/aelm.201901356
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.2
  • 作者:
    Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira
  • 通讯作者:
    Toriumi Akira

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    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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