Study on the rate limiting process of the gate-induced phase transition and the speed limit of the phase transition transistor
栅致相变限速过程及相变晶体管速度极限研究
基本信息
- 批准号:20H02615
- 负责人:
- 金额:$ 11.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Next-generation switching devices based on metal-insulator transitions
基于金属-绝缘体转变的下一代开关器件
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeaki Yajima
- 通讯作者:Takeaki Yajima
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
铁电 HfO2 栅绝缘体对 VO2 金属-绝缘体转变的调制
- DOI:10.1002/aelm.201901356
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:6.2
- 作者:Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira
- 通讯作者:Toriumi Akira
VO2金属絶縁体転移における静特性と過渡特性の結びつき
VO2金属-绝缘体转变中静态和瞬态特性之间的联系
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:浜砂 智; パティ サトウヤ プラカシュ; 矢嶋 赳彬
- 通讯作者:矢嶋 赳彬
VO2三端子素子におけるゲート誘起相転移と温度誘起相転移の等価性
VO2三端器件中栅致相变与温度致相变的等价
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:浜砂 智; パティ サトウヤ プラカシュ; 矢嶋 赳彬
- 通讯作者:矢嶋 赳彬
VO2三端子素子における絶縁転移の速度の研究
VO2三端器件绝缘转变速度的研究
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:浜砂 智; パティ サトウヤ プラカシュ; 矢嶋 赳彬
- 通讯作者:矢嶋 赳彬
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Yajima Takeaki其他文献
Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
表面载流子散射对 Pt 纳米片载流子输运影响的原子模拟研究
- DOI:
10.1109/led.2021.3077466 - 发表时间:
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- 影响因子:4.9
- 作者:
Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken - 通讯作者:
Uchida Ken
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
铁电 HfO2 栅绝缘体对 VO2 金属-绝缘体转变的调制
- DOI:
10.1002/aelm.201901356 - 发表时间:
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- 影响因子:6.2
- 作者:
Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira - 通讯作者:
Toriumi Akira
Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition
静电门控金属-绝缘体转变过程中夹断效应的观察
- DOI:
10.1002/aelm.202100842 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:6.2
- 作者:
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Toriumi Akira
Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
表面载流子散射对 Pt 纳米片载流子输运影响的原子模拟研究
- DOI:
10.1109/led.2021.3077466 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:4.9
- 作者:
Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken - 通讯作者:
Uchida Ken
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
铁电 HfO2 栅绝缘体对 VO2 金属-绝缘体转变的调制
- DOI:
10.1002/aelm.201901356 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:6.2
- 作者:
Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira - 通讯作者:
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$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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$ 11.4万 - 项目类别:
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- 批准号:
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