Study on 0.1V electronics using proton in solids

利用固体中质子的0.1V电子学研究

基本信息

  • 批准号：
    20K20553
  • 负责人：
    Yajima Takeaki
  • 金额：
    $ 16.64万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
  • 财政年份：
    2020
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2020-07-30 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Defect-Level Switching for Highly Nonlinear and Hysteretic Electronic Devices
高度非线性和迟滞电子设备的缺陷级切换
  • DOI：
    10.1103/physrevapplied.15.014014
  • 发表时间：
    2020-05-16
  • 期刊：
    Physical Review Applied
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Han Yin;Abinash Kumar;J. Lebeau;Rafael Jaramillo
  • 通讯作者：
    Rafael Jaramillo
持続可能社会のためのニューロモルフィックデバイス設計
可持续社会的神经形态设备设计
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takeaki Yajima
  • 通讯作者：
    Takeaki Yajima
Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
表面载流子散射对 Pt 纳米片载流子输运影响的原子模拟研究
  • DOI：
    10.1109/led.2021.3077466
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    4.9
  • 作者：
    Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken
  • 通讯作者：
    Uchida Ken
An Ultra-low-voltage Synaptic Behavior of WO3/Pd based 2-terminal Protonic Memristive Device
WO3/Pd基二端质子忆阻器件的超低压突触行为
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Satya Prakash Pati; Satoshi Hamasuna;Takeaki Yajima
  • 通讯作者：
    Takeaki Yajima
Ultra-sharp conductance change with proton potential in WO3 heterostructure
WO3 异质结构中电导随质子势的急剧变化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Satya Prakash Pati; Satoshi Hamasuna;Takeaki Yajima
  • 通讯作者：
    Takeaki Yajima
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  • 作者：
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Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
表面载流子散射对 Pt 纳米片载流子输运影响的原子模拟研究
  • DOI：
    10.1109/led.2021.3077466
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    4.9
  • 作者：
    Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken
  • 通讯作者：
    Uchida Ken
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
铁电 HfO2 栅绝缘体对 VO2 金属-绝缘体转变的调制
  • DOI：
    10.1002/aelm.201901356
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    6.2
  • 作者：
    Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira
  • 通讯作者：
    Toriumi Akira
Electron-Doping Mottronics in Strongly Correlated Perovskite
强相关钙钛矿中的电子掺杂Mottronics
  • DOI：
    10.1002/adma.201905060
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Advanced Materials
  • 影响因子：
    29.4
  • 作者：
    Chen Jikun;Mao Wei;Gao Lei;Yan Fengbo;Yajima Takeaki;Chen Nuofu;Chen Zhizhong;Dong Hongliang;Ge Binghui;Zhang Peng;Cao Xingzhong;Wilde Markus;Jiang Yong;Terai Takayuki;Shi Jian
  • 通讯作者：
    Shi Jian
Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
表面载流子散射对 Pt 纳米片载流子输运影响的原子模拟研究
  • DOI：
    10.1109/led.2021.3077466
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    4.9
  • 作者：
    Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken
  • 通讯作者：
    Uchida Ken
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
铁电 HfO2 栅绝缘体对 VO2 金属-绝缘体转变的调制
  • DOI：
    10.1002/aelm.201901356
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    6.2
  • 作者：
    Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira
  • 通讯作者：
    Toriumi Akira

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  • 批准号：
    22K04933
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 16.64万
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  • 批准号：
    21J11068
  • 财政年份：
    2021
  • 资助金额：
    $ 16.64万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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