Magentic tunnel junctions with semiconductor tunneling barrier

具有半导体隧道势垒的磁性隧道结

基本信息

  • 批准号:
    20H02186
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.07万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
磁性材料薄膜ヘテロ接合:超薄膜ヘテロ接合と磁気輸 送物性
磁性材料薄膜异质结:超薄膜异质结与磁输运特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    葛西伸哉
  • 通讯作者:
    葛西伸哉
磁性材料薄膜ヘテロ接合:超薄膜ヘテロ接合と磁気輸 送物性
磁性材料薄膜异质结:超薄膜异质结与磁输运特性
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    2023
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  • 作者:
    葛西伸哉
  • 通讯作者:
    葛西伸哉
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    $ 11.07万
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