Fundamental study of spin wave propagation for future logic circuit
未来逻辑电路自旋波传播的基础研究
基本信息
- 批准号:22681021
- 负责人:
- 金额:$ 16.39万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
For realizing the future logic circuit using the spin wave, fundamental properties of spin waves in ferromagnetic thin films have been investigated. The spin Hall effect can reduce the damping constant of ferromagnetic thin films down to 50 %, that is new candidate for exciting the spin wave. The spin wave properties of γ-Fe_2O_3 thin films deposited by have been also investigated.
为了利用自旋波实现未来的逻辑电路,研究了铁磁薄膜中自旋波的基本特性。自旋霍尔效应可以将铁磁薄膜的阻尼常数降低至50%,这是激发自旋的新候选。还研究了γ-Fe_2O_3薄膜的自旋波特性。
项目成果
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Thickness dependence of SH angle evaluated by means of ST-FMR for Ni80Fe20/Pt (or Pd) bilayer
通过 ST-FMR 评估 Ni80Fe20/Pt(或 Pd)双层的 SH 角的厚度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Otani; K. Kondou; Y. Niimi; S. Kasai; H. Sukegawa & S. Mitani
- 通讯作者:H. Sukegawa & S. Mitani
非磁性/強磁性接合におけるスピン流誘起強磁性共鳴の検出II
非磁性/铁磁性结中自旋电流引起的铁磁共振的检测 II
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:近藤浩太;介川裕章;塚越一仁;三谷誠司;葛西伸哉
- 通讯作者:葛西伸哉
RF voltage response induced by waveguide FMR in ferromagnetic / non-magnetic bi-layeres
铁磁/非磁双层中波导 FMR 引起的射频电压响应
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shinya Kasai; YoshiChka Otani; Yasuhiro Fukuma; Kazuhito Tsukagoshi; Jun;Seiji Mitani
- 通讯作者:Seiji Mitani
Thickness dependence of SH angle evaluated by means of ST-FMR for Ni80Fe20/Pt (or Pd) bilayer
通过 ST-FMR 评估 Ni80Fe20/Pt(或 Pd)双层的 SH 角的厚度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:YoshiChika Otani
- 通讯作者:YoshiChika Otani
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