Study on electric structures around Fe in Fe doped AlN films

Fe掺杂AlN薄膜中Fe周围电结构研究

• 批准号: 20K04562
• 负责人: Imada Saki
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Kyoto Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04562/
• 关键词: 無極性Ⅲ族窒化物薄膜; 窒化アルミニウム; 深紫外発光ダイオード; シード層; スパッタ法; 無極性Ⅲ族窒化物薄; 半導体

项目成果

Formation of various-axes-oriented wurtzite nuclei and enlargement of the a-axis-oriented region in AlFeN films deposited on Si(100) substrates

Si(100) 衬底上沉积的 AlFeN 薄膜中多轴取向纤锌矿核的形成和 a 轴取向区域的​​扩大

• DOI: 10.1039/d0ma01026j
• 发表时间: 2021
• 期刊: Materials Advances
• 影响因子: 5
• 作者: Imada Saki;Isshiki Toshiyuki;Tatemizo Nobuyuki;Nishio Koji;Mamishin Shuichi;Suzuki Yuya;Ito Katsuji;Nitta Kiyofumi;Sekizawa Oki;Suga Hiroki;Tamenori Yusuke
• 通讯作者: Tamenori Yusuke

XANES実験/理論スペクトル(FDMNES)の比較によるⅢ族窒化物のバンド構造研究

通过比较 XANES 实验/理论光谱 (FDMNES) 研究 III 族氮化物的能带结构

• 发表时间: 2021
• 作者: 安齊廷玄;金澤研;黒田眞司;今田早紀
• 通讯作者: 今田早紀