The realization of steep slope tunnel FET on Ge-on-Insulator substrate
Ge-on-Insulator衬底上陡坡隧道FET的实现
基本信息
- 批准号：19K15028
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（25）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy
使用深能级瞬态光谱对 Ge 栅极堆栈进行边界陷阱表征
- DOI：10.1149/09204.0003ecst
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroshi Nakashima; Wei
- 通讯作者：Wei
エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討
回蚀法制备绝缘体上Ge的湿法刻蚀方法研究
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：清水 昇; 山本 圭介; 王 冬; 中島 寛
- 通讯作者：中島 寛
Isotropic Wet Etching and Improving Surface Flatness of Ge for Etchback Ge-on-Insulator Fabrication
用于回蚀绝缘体上 Ge 制造的各向同性湿法蚀刻和改善 Ge 表面平整度
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Noboru Shimizu; Keisuke Yamamoto; Dong Wang; Hiroshi. Nakashima
- 通讯作者：Hiroshi. Nakashima
Border Trap Evaluation for Al2O3/GeOX/p-Ge Gate Stacks using Deep-Level Transient Spectroscopy
使用深能级瞬态光谱法评估 Al2O3/GeOX/p-Ge 栅极堆栈的边界陷阱
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Wei
- 通讯作者：Wei
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YAMAMOTO Keisuke其他文献
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