Development of SiC hybrid integrated circuits operational under harsh environment

恶劣环境下工作的SiC混合集成电路的开发

基本信息

  • 批准号：
    19K23515
  • 负责人：
    Kaneko Mitsuaki
  • 金额：
    $ 1.83万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-08-30 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

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项目成果

期刊论文数量（7）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Experimental Study on Short-Channel Effects in Side-Gate SiC JFETs
侧栅 SiC JFET 短沟道效应的实验研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Masashi Nakajima;Q. Jin;Mitsuaki Kaneko;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
    Tsunenobu Kimoto
Breakdown Characteristics of Lateral PIN Diodes Fully Fabricated by Ion Implantation into HTCVD-Grown High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate
HTCVD 生长的高纯半绝缘 SiC 衬底完全离子注入横向 PIN 二极管的击穿特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mitsuaki Kaneko;Tsibizov Alexander;Tsunenobu Kimoto;Ulrike Grossner
  • 通讯作者：
    Ulrike Grossner
Lateral spreads of Al and P atoms implanted into a high-purity semi-insulating SiC substrate
注入高纯半绝缘 SiC 衬底中的 Al 和 P 原子的横向扩散
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Qimin Jin;Masashi Nakajima;Mitsuaki Kaneko;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
    Tsunenobu Kimoto
Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate
  • DOI：
    10.1109/led.2019.2910598
  • 发表时间：
    2019-06-01
  • 期刊：
    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
  • 影响因子：
    4.9
  • 作者：
    Nakajima, M.;Kaneko, M.;Kimoto, T.
  • 通讯作者：
    Kimoto, T.
Impacts of Channel Length on Electrical Characteristics in Side-Gate SiC JFETs
沟道长度对侧栅 SiC JFET 电气特性的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Masashi Nakajima;Q. Jin;Mitsuaki Kaneko;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
    Tsunenobu Kimoto
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Kaneko Mitsuaki其他文献

Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces
分裂能带对金属/重掺杂p型SiC肖特基界面隧道电流的影响
  • DOI：
    10.35848/1882-0786/acc30d
    10.35848/1882-0786/acc30d
  • 发表时间：
    2023
    2023
  • 期刊：
    Applied Physics Express
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Kitawaki Takeaki;Hara Masahiro;Tanaka Hajime;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu
    Kitawaki Takeaki;Hara Masahiro;Tanaka Hajime;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu
  • 通讯作者：
    Kimoto Tsunenobu
    Kimoto Tsunenobu
Physical properties of sulfur double donors in 4H-SiC introduced by ion implantation
离子注入引入的4H-SiC中硫双给体的物理性质
Enhanced tunneling current and low contact resistivity at Mg contacts on heavily phosphorus-ion-implanted SiC
大量磷离子注入的 SiC 上的镁接触处增强了隧道电流并降低了接触电阻率
  • DOI：
    10.35848/1882-0786/acb98b
    10.35848/1882-0786/acb98b
  • 发表时间：
    2023
    2023
  • 期刊：
    Applied Physics Express
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Hara Masahiro;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu
    Hara Masahiro;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu
  • 通讯作者：
    Kimoto Tsunenobu
    Kimoto Tsunenobu
高空間分解能な結像型X線顕微鏡のためのin-situ波面計測法の開発
高空间分辨率成像X射线显微镜原位波前测量方法的发展
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Matsuoka Taiga;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu;田中優人，松山智至，井上陽登，山田純平，香村芳樹，矢橋牧名，表和彦，石川哲也，山内和人
    Matsuoka Taiga;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu;田中優人，松山智至，井上陽登，山田純平，香村芳樹，矢橋牧名，表和彦，石川哲也，山内和人
  • 通讯作者：
    田中優人，松山智至，井上陽登，山田純平，香村芳樹，矢橋牧名，表和彦，石川哲也，山内和人
    田中優人，松山智至，井上陽登，山田純平，香村芳樹，矢橋牧名，表和彦，石川哲也，山内和人
ブリッジマナイトの変型機構図
桥锰石变形机理图
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tachiki Keita;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu;辻野典秀
    Tachiki Keita;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu;辻野典秀
  • 通讯作者：
    辻野典秀
    辻野典秀
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