刷新
Control of Interface Fluctuation in Nitride Semiconductor Heterostructure and its Application to Quantum Optical Devices
氮化物半导体异质结构界面涨落控制及其在量子光学器件中的应用
基本信息
- 批准号：19K15025
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（107）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Structural and emission improvement of cyan-emitting InGaN quantum wells by introducing a large substrate misorientation angle
- DOI：10.1364/ome.445043
- 发表时间：2022-01-01
- 期刊：
- 影响因子：2.8
- 作者：Kafar, A.;Sakaki, A.;Kawakami, Y.
- 通讯作者：Kawakami, Y.
Toward Bright and Pure Single Photon Emitters at 300 K Based on GaN Quantum Dots on Silicon
- DOI：10.1021/acsphotonics.0c00310
- 发表时间：2020-06-17
- 期刊：
- 影响因子：7
- 作者：Tamariz, Sebastian;Callsen, Gordon;Grandjean, Nicolas
- 通讯作者：Grandjean, Nicolas
アニール処理スパッタAlN膜とn型AlGaN下地層がAlGaN多重量子井戸構造の光学特性に与える影響
退火溅射AlN薄膜和n型AlGaN底层对AlGaN多量子阱结构光学性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：正直花奈子;石井良太;上杉謙次郎;船戸充;川上養分一;三宅秀人
- 通讯作者：三宅秀人
スパッタ・アニール法によるAlGaN薄膜の作製
溅射退火法制备AlGaN薄膜
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：窪谷 茂幸;岩山 章;上杉 謙次郎;正直 花奈子;則松 研二;三宅 秀人
- 通讯作者：三宅 秀人
Threading Dislocation Reduction of Sputter-deposited AlN/sapphire by High-Temperature Annealing
通过高温退火减少溅射沉积 AlN/蓝宝石的螺纹位错
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Miyake;K. Shojiki;K. Uesugi;S. Xiao;H. Koizumi;and S. Kuboya
- 通讯作者：and S. Kuboya
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Shojiki Kanako其他文献
A method for exfoliating AlGaN films from sapphire substrates using heated and pressurized water
一种使用加热加压水从蓝宝石衬底上剥离 AlGaN 薄膜的方法
- DOI：
10.35848/1882-0786/ac97dc - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Matsubara Eri;Hasegawa Ryota;Nishibayashi Toma;Yabutani Ayumu;Yamada Ryoya;Imoto Yoshinori;Kondo Ryosuke;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Shojiki Kanako;Kumagai Shinya;Miyake Hideto;Iwaya Motoaki - 通讯作者：
Iwaya Motoaki
Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
N 极 (000-1) InGaN/GaN 多量子阱中单量子限制结构的双激子发射
- DOI：
10.1002/pssb.201700454 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Takamiya Kengo;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Akiyama Hidefumi;Shojiki Kanako;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji - 通讯作者：
Katayama Ryuji
Spin-orbitronics in nanostructures
纳米结构中的自旋轨道电子学
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Takamiya Kengo;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Akiyama Hidefumi;Shojiki Kanako;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji;Masaki Mizuguchi - 通讯作者：
Masaki Mizuguchi
Shojiki Kanako的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
絶縁窒化アルミニウムのp型伝導機構発現の解明とpチャネル電界効果トランジスタ応用
绝缘氮化铝p型导电机理的阐明及其在p沟道场效应晶体管中的应用
- 批准号：
24K17305 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
空気中で施工できる金属表面レーザー窒化処理の鉄鋼及びアルミニウム材料への適用
可在空气中进行的金属表面激光渗氮处理在钢、铝材料上的应用
- 批准号：
24K01175 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
利用非平衡等离子体晶体生长技术制造超高压氮化铝半导体电子器件
- 批准号：
23K26557 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
縦型窒化アルミニウム素子の作製技術の確立
立式氮化铝元件制造技术的建立
- 批准号：
23K26556 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
バルクAlN結晶の低温気相成長法の開発
大块 AlN 晶体低温气相生长方法的开发
- 批准号：
23K17884 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)