Low-temperature solid-phase crystallization of oxide semiconductors and its application to high-performance flexible devices

氧化物半导体低温固相结晶及其在高性能柔性器件中的应用

基本信息

批准号：
20K22415
负责人：
Magari Yusaku
金额：
$ 1.83万
依托单位：
Shimane University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-09-11 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（14）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

曲勇作, 片岡大樹, 古田守, 葉文昌

黑雄作、片冈大树、古田守、Yo Fuminho

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
小野浩孝;梅原大樹;山田誠;高移動度水素化多結晶In2O3:H 薄膜トランジスタ
通讯作者：
高移動度水素化多結晶In2O3:H 薄膜トランジスタ

固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化(>100 cm2V－1s－1)

采用固相结晶In2O3:H的薄膜晶体管的高迁移率（>100 cm2V－1s－1）

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
曲勇作;片岡大樹;葉文昌;古田守
通讯作者：
古田守

第82回応用物理学会秋季学術講演会

第82届日本应用物理学会秋季学术会议

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
横川凌;渡辺剛;廣沢一郎;富田基裕;渡邉孝信;小椋厚志;高移動度水素化In2O3薄膜トランジスタ
通讯作者：
高移動度水素化In2O3薄膜トランジスタ

IGZOの約10倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体を高知工科大が開発

高知工业大学开发出场效应迁移率约为IGZO 10倍的氧化物半导体

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

水素化In2O3(In2O3:H)固相結晶化温度がキャリア輸送特性に及ぼす影響

氢化In2O3(In2O3:H)固相结晶温度对载流子传输性能的影响

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
曲勇作;片岡大樹;古田守;葉文昌
通讯作者：
葉文昌

DOI：
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作者：
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Magari Yusaku其他文献

Bottom gate single crystal Si thin-film transistors fabricated by all sputtering processes

全溅射工艺制造的底栅单晶硅薄膜晶体管

DOI：
10.35848/1347-4065/ac5812
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yeh Wenchang;Ohtoge Kaisei;Magari Yusaku
通讯作者：
Magari Yusaku

Hydrogenated Polycrystalline In2O3 (In2O3:H) Thin-Film Transistor with High Mobility Exceeding 100 cm2V-1s-1 Via Solid-Phase Crystallization

通过固相结晶实现超过 100 cm2V-1s-1 的高迁移率氢化多晶 In2O3 (In2O3:H) 薄膜晶体管

DOI：
10.1149/ma2022-02351277mtgabs
发表时间：
2022
期刊：
ECS Meeting Abstracts
影响因子：
0
作者：
Magari Yusaku;Kataoka Taiki;Yeh Wenchang;Furuta Mamoru
通讯作者：
Furuta Mamoru

(Invited) Low-Temperature Processed InGaZnO MES-FET for Flexible Device Applications

（特邀）用于柔性器件应用的低温加工InGaZnO MES-FET

DOI：
10.1149/07901.0043ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Furuta Mamoru;Magari Yusaku;Hashimoto Shinsuke;Hamada Kenichiro
通讯作者：
Hamada Kenichiro

Thermopower Modulation Analyses of High-Mobility Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

高迁移率透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管的热功率调制分析

DOI：
10.1021/acsaelm.2c01210
发表时间：
2022
期刊：
ACS Applied Electronic Materials
影响因子：
4.7
作者：
Yang Hui;Zhang Yuqiao;Matsuo Yasutaka;Magari Yusaku;Ohta Hiromichi
通讯作者：
Ohta Hiromichi

Self-Aligned Four-Terminal Low-Temperature Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors on Glass Substrate Using Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization

采用连续波激光横向结晶的玻璃基板上的自对准四端子低温多晶硅薄膜晶体管

DOI：
10.1149/07510.0037ecst
发表时间：
2016
期刊：
ECS Trans.
影响因子：
0
作者：
Furuta Mamoru;Koretomo Daichi;Magari Yusaku;Aman S G Mehadi;Higashi Ryunosuke;Hamada Syuhei;Akito Hara and Hiroki Ohsawa
通讯作者：
Akito Hara and Hiroki Ohsawa