Lokalisation und Vermeidung von Schädigungsprozessen an regioselektiv in anodischen Oxidschichten auf Titanwerkstoffen immobilisierten Oligonukleotiden

区域选择性固定在钛材料阳极氧化层中的寡核苷酸损伤过程的定位和预防

• 批准号: 218945838
• 负责人: Professor Dr. Dieter Scharnweber
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Werkstoffwissenschaft
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2011-12-31 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/218945838?language=en
• 关键词: Lokalisation; und; Vermeidung; von; Sch

Bisherige Arbeiten haben zur Entwicklung eines elektrochemisch basierten Verfahrens zur regioselektiven Immobilisierung von Oligonukleotiden (ODN) durch partiellen Einbau in anodisch verdickte Oxidschichten auf Titan-Basiswerkstoffen geführt. Nicht ausreichend verstanden sind dabei die Reaktionsmechanismen und Nebenreaktionen, die sowohl (1) bei dem anodischen Prozessschritt als auch (2) bei folgender Trocknung, (3) Lichtexposition und (4) 7-Sterilisafion zu einer Schädigung der immobilisierten ODN führen und damit eine Anwendung des Verfahrens zur Funktionalisierung von Implantatoberflächen einschränken. Insbesondere erfordert eine gezielte Modifikafion der Hybridisierungs- und Freisetz ungs reakfionen im Rahmen dieses Paketantrages hoch reproduzierbare Zustände bezüglich der zur Hybridisierung verfügbaren Sequenz des Ankerstranges (AS), d.h. des partiell in die anodische Oxidschicht eingebauten ODN. Ziel des Tellprojektes ist es daher, die Angriffspunkte für Schädigungsprozesse in den o.g. Teilprozessen (1) - (4) Im Detail aufzuklären. Insbesondere soll untersucht werden, welche Basen, Basenpaare sowie Sequenzen eine erhöhte Anfälligkeit für Strangbrüche sowie Basenläsionen aufweisen. Hierdurch soll es möglich werden, AS zu konstruieren, die bevorzugt in einem definierten Bereich des (nicht immobilisierten) 3'-Terminus geschädigt werden. Auf der Basis dieser Erkenntnisse soll untersucht werden, ob alternativ durch gleichzeitige bzw. zusätzliche Immobilisierung eines Opfer-AS die Integrität des zur Hybridisierung vorgesehenen AS geschützt werden kann.

不认识的人反应机械和Nebenreaktionen，die sowohl (1) bei dem anodischen Prozessschritt als auch (2) bei folgender Trocknung, (3) Lichtexposition und (4) 7-Sterilisafion zu einer Schädigung der immobilisierten ODN führen und damit eine Anwendung des Verfahrens zur植入的功能。 (AS)，d.h. des partiell in die anodische Oxidschicht eingebauten ODN。 Basenpaare sowie Sequenzen eine erhöhte Anfälligkeit für Strangbrüche sowie Basenläsionen aufweisen。 Auf der Basis dieser Erkenntnisse soll untersucht werden, ob 替代 durch gleichzeitige bzw。