Fabrication and Physics of Electron Systems in AlAs Quantum Wells

AlAs 量子井中电子系统的制造和物理

基本信息

  • 批准号:
    0502477
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 56万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2005-05-01 至 2009-04-30
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

An investigation of electron interaction physics in high-quality, quantum-confined semiconductor structures will be conducted. The program includes studies of both fabrication, via the molecular beam epitaxy technique, and of electronic transport properties at low temperatures and high magnetic fields where electron correlation phenomena dominate. The emphasis of the work is on novel, high-quality two-dimensional electron systems (2DESs) confined to selectively-doped AlAs quantum wells; these 2DESs have parameters that are very different from those of the standard 2DESs in GaAs. Several problems, including the influence of valley degeneracy on the integer and fractional quantum Hall states, and the role of the spin degree of freedom on transitions between the quantum Hall states will be studied. The project will be carried out by graduate and undergraduate students who will be trained in crucial areas of crystal growth, fabrication, and electrical measurements. The principal investigator and his group will take part in the K-12 teacher education programs at Princeton University and also present demonstrations at the Liberty Science Center. One of the most fascinating areas in solid state physics concerns new states of matter that come about primarily because of the interaction between the electrons. To explore such states, one needs specimens in which the imperfections, including impurities and crystal defects, are reduced to a minimum. This study involves the fabrication of such samples, and measurements of their novel electronic properties. The emphasis is on two-dimensional electron systems in aluminum-arsenide quantum wells. These have parameters that are very different from the commonly studied gallium-arsenide samples. An understanding of the states and phenomena observed in the new samples not only will advance our knowledge of fundamental physics, but can also lead to novel device concepts. A major component of this research is the training and education of graduate and undergraduate students in critical areas of crystal growth, semiconductor sample processing, and electrical measurements. Well-trained students in this field will be invaluable resources for the US as well as the rest of the world. The principal investigator and his group will take part in the K-12 teacher education programs at Princeton University and also present demonstrations at the Liberty Science Center.
将对高质量,量子限制的半导体结构中电子相互作用物理学进行研究。 该程序包括通过分子束外延技术以及低温和高磁场在电子相关现象占主导地位的高磁场处的电子传输特性的研究。 这项工作的重点是新型高质量的二维电子系统(2DES),仅限于有选择性的ALAS量子井;这些2Ess的参数与GAAS中标准2DES的参数大不相同。 将研究几个问题,包括谷化变性对整数和分数量子厅状态的影响,以及旋转自由度在量子厅状态之间过渡中的作用。该项目将由研究生和本科生进行,他们将在晶体生长,制造和电气测量的关键领域接受培训。首席研究员及其小组将参加普林斯顿大学的K-12教师教育计划,并在自由科学中心举行示威活动。固态物理学中最吸引人的地区之一是涉及新事物的新状态,主要是由于电子之间的相互作用。为了探索这种状态,需要一个标本,其中不完美(包括杂质和晶体缺陷)将减少到最小。这项研究涉及制造此类样品及其新型电子特性的测量。重点放在铝 - 阿屈地量量井中的二维电子系统上。这些参数与常见研究的艾肽样品大不相同。对新样本中观察到的状态和现象的理解不仅会促进我们对基本物理学的了解,而且还可以导致新颖的设备概念。这项研究的一个主要组成部分是在晶体生长,半导体样本处理和电气测量的关键领域的研究生和本科生的培训和教育。在该领域训练有素的学生将是美国以及世界其他地区的宝贵资源。 首席研究员及其小组将参加普林斯顿大学的K-12教师教育计划,并在自由科学中心举行示威活动。

项目成果

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