(GaP)1-x(ZnS)x: A New Tunable Wide-Bandgap Material for Blue Light Emitting Diodes and Detectors of Ultraviolet Radiation
(GaP)1-x(ZnS)x:一种用于蓝光发射二极管和紫外辐射探测器的新型可调谐宽带隙材料
基本信息
- 批准号:9261617
- 负责人:
- 金额:$ 5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:1993
- 资助国家:美国
- 起止时间:1993-01-01 至 1993-09-30
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
AstroPower proposes the growth and development of a (GaP)1- x(ZnS)x-based material. It is the purpose of the proposed work to explore for solid solution compositions of (GaP)1-x(ZnS)x that are amphoteric and characterized by direct bandgaps greater than 2.6 eV, and to demonstrate epitaxial growth techniques which have manufacturing scale potential. This type of material with bandgap in excess of 2.6 eV can be employed in blue light-emitting diodes, and in UV detectors capable of superior performance compared to silicon, in high temperature, high radiation environments such as in earth orbit and particle accelerators. For a blue LED, the suc- cessful development of this material system is expected to lead to luminous intensities of 80 to 300 mcd compared to the 20 mcd of currently available SiC LEDs.
AstroPower提出了(GaP)1-x(ZnS)x基材料的生长和开发。 拟议工作的目的是探索两性的 (GaP)1-x(ZnS)x 固溶体成分,其特征是直接带隙大于 2.6 eV,并展示具有制造规模潜力的外延生长技术。 这种带隙超过2.6 eV的材料可用于蓝色发光二极管,以及在高温、高辐射环境(例如地球轨道和粒子加速器)中比硅具有更优异性能的紫外探测器。对于蓝色 LED,该材料系统的成功开发预计将带来 80 至 300 mcd 的发光强度,而当前可用的 SiC LED 的发光强度为 20 mcd。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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