GaN中氢、碳和氧的行为和作用
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60076003
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:20.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2003
- 批准年份:2000
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2001-01-01 至2003-12-31
- 项目参与者:陈开茅; 段家祗; 张伯蕊; 乔永平; 陈源; 冉广照; 张纪才;
- 关键词:
项目摘要
氮化镓由于其重要应用价值和巨大发展潜力被认为是最有发展前途的化合物半导体。氢,碳和氧在氮化镓生长过程中不可避免地要引入,对氮化镓材料质量和器件性能有重要又复杂影响。目前对这些杂质的认识还很不充分。本申请拟采用掺入同位素、高能粒子辐照和综合多种实验手段等方法深入研究GaN中的氢、碳和氧的局域振动模、深能级和其它独特行为。
结项摘要
项目成果
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- 发表时间:--
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- 影响因子:--
- 作者:秦国刚
- 通讯作者:秦国刚
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