应用于新一代非易失性存储器的相变纳米线的纳米特性及其相变机理研究

结题报告

项目介绍

AI项目解读

基本信息

批准号：
51072127
项目类别：
面上项目
资助金额：
37.0万
负责人：
孙旭辉
依托单位：
苏州大学
学科分类：
E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2013
批准年份：
2010
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-01-01 至2013-12-31

项目参与者：
陈兰芬；闫海珍；卓淑娟；李洋；彭明发；李钦亮；高婧；
关键词：
相变纳米线非易失性相变存储器相变纳米效应

项目摘要

基于相变材料的非易失性存储器技术因其具有非易失性、可重复写入、寿命长、稳定性好、制作工艺简单等优点，是未来电子工业最有前途的信息存储技术之一。其中由自主生长的一维纳米结构的相变材料（相变纳米线）因其具有的材料和结构特性，不仅为新一代高密度、低功耗、高效简单的纳米相变存储器提供了材料基础，而且为相变存储器研究中的一些关键问题（如纳米尺度下的电荷传输机理、时间漂移现象和相变机理等）的研究提供了一个方便和重要的研究平台。本项目通过合成具有低相变电流、高相变速度的新型相变纳米线（Ge2Sb2Te5和GeSb纳米线）并构筑纳米线器件，结合原位表征技术研究相变纳米线及其器件在纳米尺度下的相关特性，阐明相变纳米材料非晶相中的电荷传输性质、阈值转变机理、时间漂移现象、成核相变机理以及他们在纳米尺度下的尺寸效应，建立相变纳米线材料特性与其器件性能的关系。

结项摘要

基于相变材料的非易失性存储器技术因其具有非易失性、可重复写入、寿命长、稳定性好、制作工艺简单等优点，是未来电子工业最有前途的信息存储技术之一。其中由自主生长的一维纳米结构的相变材料（相变纳米线）因其具有的材料和结构特性，不仅为新一代高密度、低功耗、高效简单的纳米相变存储器提供了材料基础，而且为相变存储器研究中的一些关键问题（如纳米尺度下的电荷传输机理和相变机理等）的研究提供了一个方便和重要的研究平台。本项目通过合成具有低相变电流、高相变速度的新型相变纳米线（In2Se3和GeSb纳米线）并构筑纳米线器件，结合原位表征技术（同步辐射原位XRD技术、原位TEM技术）以及理论模拟计算，研究了相变纳米线及其器件在纳米尺度下的相关特性，阐明相变纳米材料的电荷传输性质、阈值转变机理、相变机理以及他们在纳米尺度下的尺寸效应，建立相变纳米线材料特性与其器件性能的关系。

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（1）

专利数量（0）

Atomistic structures and phase transition of In2Se3 nanowires studied by DFT calculations and synchrotron radiation X-ray diffraction

DFT计算和同步辐射X射线衍射研究In2Se3纳米线的原子结构和相变

DOI：
10.1016/j.ssc.2013.03.012
发表时间：
2013-05
期刊：
Solid State Communications
影响因子：
2.1
作者：
Yu, Xiaohui;Hou, Tingjun;Sun, Xuhui;Li, Youyong
通讯作者：
Li, Youyong

Large-scale synthesis of graphene by the reduction of graphene oxide at room temperature using metal nanoparticles as catalyst

金属纳米粒子作为催化剂在室温下还原氧化石墨烯大规模合成石墨烯

DOI：
10.1016/j.carbon.2012.10.014
发表时间：
2013-02
期刊：
Carbon
影响因子：
10.9
作者：
Zhuo, Qiqi;Gao, Jing;Peng, Mingfa;Bai, Lili;Deng, Jiujun;Xia, Yujian;Ma, Yanyun;Zhong, Jun;Sun, Xuhui
通讯作者：
Sun, Xuhui

Electronic Structure and Photoluminescence Origin of Single-Crystalline Germanium Oxide Nanowires with Green Light Emission

绿光单晶氧化锗纳米线的电子结构和光致发光起源