晶硅薄膜的低温外延生长、纳米光子学陷光和基于剥离技术的柔性太阳电池研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    61674150
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    62.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0403.半导体光电子器件与集成
  • 结题年份:
    2020
  • 批准年份:
    2016
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2017-01-01 至2020-12-31

项目摘要

Ultra-thin crystalline silicon solar cell with low cost and high efficiency is the direction of the PV industry in the near future. The objective of this project is to enable the development of heterojunction and hybrid solar cells based on crystalline silicon thin film from the combination of low temperature epitaxial growth of silicon, advanced light-trapping from the field of nanophotonics and low temperature stress-induced exfoliation technology. High quality epitaxial silicon thin film will be prepared using PECVD or HWCVD at a temperature lower than 400°C based on the investigation of the epitaxial growth and defect mechanisms. Optimized nano-texture and solar cell structure will be proposed based on the computer simulations. Based on the studies of the interface passivation and carrier recombination, high optical absorption and high electrical collection will be realized at the same time. Investigate the thermal stress-induced exfoliation technology of epitaxial film and then determine the low cost process of the flexible solar cells. The aim of this project is to achieve an efficiency of ~17% for heterojunction or hybrid solar cells based on crystalline silicon thin film with an absorption layer thickness <10um. Techniques suitable for large scale will be proposed. The successful of this project will promote the flexible application of Si solar cell and the healthy and sustainable development of PV industry.
低成本高效晶硅薄膜电池是未来光伏产业发展方向。本项目把低温外延和纳米光子学陷光结合起来,结合低温剥离工艺,制备基于晶硅薄膜的异质结和有机-无机复合的柔性太阳电池。通过研究PECVD和HWCVD低温外延晶硅薄膜的生长和缺陷产生机理,在不超过400度下制备高质量外延膜;通过对光吸收和电输运特性的数值模拟和实验研究,确定优化的纳米光子学陷光结构和电池器件结构;在有效钝化界面、揭示载流子输运复合机理的基础上,同时实现高光吸收和高电收集;研究外延膜的热应力剥离技术,确定低成本、柔性晶硅薄膜电池的工艺流程。在吸收层厚度不超过10微米下,获得转换效率~17%的晶硅薄膜电池;提出适合大规模推广的技术路线。通过该项目实施所取得的成果可拓展硅电池的应用空间,有效推动光伏产业的健康可持续发展。

结项摘要

系统研究了热丝化学气相沉积技术外延硅薄膜的工艺技术和薄膜成核生长过程,获得了高质量的外延硅薄膜。采用环氧树脂固化剥离技术初步实现了外延硅薄膜的成功剥离。实现了适合超薄晶硅的表面陷光结构的可控制备技术。对适合超薄柔性晶硅的、工艺温度低于200度的、低工艺成本的多种新型硅异质结太阳电池工艺进行了研究,开发了热丝氧化升华法和全溶液法等适合柔性超薄晶硅电池制备工艺,探索了多条基于氧化物和有机半导体载流子传输层的柔性晶硅电池制备技术路线。实现基于全溶液法低温工艺的有机/无机复合柔性晶硅薄膜太阳电池效率大于17.3%。为有效拓展硅基电池的应用空间奠定了基础。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(1)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(3)
Passivation of high aspect ratio silicon nanowires by using catalytic chemical vapor deposition for radial heterojunction solar cell application
利用催化化学气相沉积钝化高纵横比硅纳米线,用于径向异质结太阳能电池应用
  • DOI:
    10.1039/c7ra08343b
  • 发表时间:
    2017-09
  • 期刊:
    RSC Advances
  • 影响因子:
    3.9
  • 作者:
    董刚强;周玉荣;张海龙;刘丰珍;李光毅;朱美芳
  • 通讯作者:
    朱美芳
PEDOT:PSS/SiNWs Hybrid Solar Cells With an Effective Nanocrystalline Silicon Back Surface Field Layer by Low Temperature Catalytic Diffusion
通过低温催化扩散具有有效纳米晶硅背表面场层的 PEDOT:PSS/SiNWs 混合太阳能电池
  • DOI:
    10.1002/solr.201700133
  • 发表时间:
    2017-11
  • 期刊:
    Solar RRL
  • 影响因子:
    7.9
  • 作者:
    沈荣宗;刘明;周玉荣;李丰超;王华妹;杨羽飞;刘丰珍
  • 通讯作者:
    刘丰珍
Lithography-free and dopant-free back-contact silicon heterojunction solar cells with solution-processed TiO2 as the efficient electron selective layer
以溶液处理的 TiO2 作为高效电子选择层的免光刻、无掺杂背接触硅异质结太阳能电池
  • DOI:
    10.1016/j.solmat.2019.110196
  • 发表时间:
    2019-12-01
  • 期刊:
    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS
  • 影响因子:
    6.9
  • 作者:
    Li, Fengchao;Sun, Zongheng;Yu, Donghong
  • 通讯作者:
    Yu, Donghong
Solution‐processed ZnO as the efficient passivation and electron selective layer of silicon solar cells
溶液处理的 ZnO 作为硅太阳能电池的高效钝化和电子选择性层
  • DOI:
    10.1002/pip.3044
  • 发表时间:
    2018-04
  • 期刊:
    Progress in photovoltaic
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    丁江楠;周玉荣;董刚强;刘明;Yu Donghong;刘丰珍
  • 通讯作者:
    刘丰珍
SnO2/Mg combination electron selective transport layer for Si heterojunction solar cells
用于硅异质结太阳能电池的 SnO2/Mg 组合电子选择性传输层
  • DOI:
    10.1016/j.solmat.2019.109996
  • 发表时间:
    2019-09
  • 期刊:
    Solar Energy Materials and Solar Cells
  • 影响因子:
    6.9
  • 作者:
    刘明;周玉荣;董刚强;王文静;Jiaou Wang;Chen Liu;刘丰珍;Yu Donghong
  • 通讯作者:
    Yu Donghong

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微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    陈兴
后退火处理对铟锡氧化物表面等离激元共振特性的影响
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    --
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
    Acta Physica Sinica
  • 影响因子:
    1
  • 作者:
    蒋行;周玉荣;刘丰珍;周玉琴
  • 通讯作者:
    周玉琴

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掠角沉积新技术定向生长同轴径向硅纳米棒太阳电池
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  • 批准年份:
    2008
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    25.0 万元
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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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