环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60566001
- 项目类别:地区科学基金项目
- 资助金额:20.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2008
- 批准年份:2005
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2006-01-01 至2008-12-31
- 项目参与者:刘小兵; 张晋敏; 罗胜耘; 金石声; 朱林山; 闫万珺; 肖清泉;
- 关键词:
项目摘要
目前Ga、As、In、等资源缺乏和有毒元素被大量使用来制造半导体材料和器件,对人类生存带来巨大威胁。而铁硅化合物β-FeSi2材料,是由资源寿命极长的Fe、Si元素组成,能循环利用,对地球无污染,称为环境半导体材料。对这一材料的研究,对人类的生存和发展具有重要的意义。本项目主要研究内容为:1)通过对高纯Fe薄膜制备方法的比较,确定制备工艺;2)确定最佳热处理工艺,制备出纳米β-FeSi2薄膜;3)对纳米β-FeSi2薄膜的晶体结构、光电物性进行测试,制备出合格的β-FeSi2薄膜;4)建立第一原理计算的数学模型,对β-FeSi2薄膜的能带构造等进行计算;5)根据光电物性测试结果和第一原理计算结果,对其能带构造、吸收-发光机理等光电子物性的机理进行研究;6)在上述工作的基础上,对均一大尺寸薄膜的制备工艺进行研究;7)利用制备的半导体β-FeSi2薄膜制备出半导体光电子器件。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(7)
专利数量(0)
纳米硅化物环境友好半导体材料的研究进展
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:功能材料信息
- 影响因子:--
- 作者:谢泉
- 通讯作者:谢泉
Preparation of α-FeSi2 by laser annealing
激光退火制备α-FeSi2
- DOI:10.1016/j.tsf.2008.06.048
- 发表时间:2008-10
- 期刊:Thin Solid Films
- 影响因子:2.1
- 作者:Qingquan Xiao;Ping Yu;Yong Zhang;Jinmin Zhang;Yan Liang;Quan Xie;Ziyi Yang
- 通讯作者:Ziyi Yang
掺杂β-FeSi_2的电子结构及光学性质的第一性原理研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报
- 影响因子:--
- 作者:谢泉;闫万珺
- 通讯作者:闫万珺
Mg_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科学(G辑:物理学 力学 天文学)
- 影响因子:--
- 作者:闫万珺;杨创华;谢泉;赵凤娟;陈茜
- 通讯作者:陈茜
低能He~+、Ar~+、Xe~+轰击SiC的蒙特卡诺模拟
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:功能材料
- 影响因子:--
- 作者:苟富均;金石声;朱林山;谢泉
- 通讯作者:谢泉
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- 影响因子:--
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- 通讯作者:骆娟娟
其他文献
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