基于元胞内集成异质结的低开关损耗非对称型SiC MOSFET新结构研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    57万
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  • 学科分类:
  • 结题年份:
  • 批准年份:
    2021
  • 项目状态:
    未结题
  • 起止时间:
    2021至

项目摘要

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项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊:
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子:
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

其他文献

A novel complementary N~+-charge island SOI high voltage device
一种新型互补N~-电荷岛SOI高压器件
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    半导体学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    胡盛东;吴丽娟;李肇基;张波
  • 通讯作者:
    张波
A −188 V 7.2 Ω · mm 2 , P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate ∗
在外延-SIMOX 衬底上形成的 188 V 7.2 mm 2 P 沟道高压器件
  • DOI:
    10.1088/1674-1056/20/8/087101
  • 发表时间:
    2011-08-15
  • 期刊:
    Chinese Physics B
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    吴丽娟;胡盛东;张波;罗小蓉;李肇基
  • 通讯作者:
    李肇基
Performance improvement of organic thin film transistors by using active layer with sandwich structure
利用三明治结构有源层提高有机薄膜晶体管的性能
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
    The European Physical Journal Applied Physics
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    倪尧;周建林;匡鹏;林慧;甘平;胡盛东;林智
  • 通讯作者:
    林智
A new analytical model of high voltage silicon on insulator (SOI) thin film devices
高压绝缘体上硅 (SOI) 薄膜器件的新分析模型
  • DOI:
    10.1088/1674-1056/18/1/051
  • 发表时间:
    2009-01-20
  • 期刊:
    Canadian Journal of Chemical Engineering
  • 影响因子:
    2.1
  • 作者:
    胡盛东;张波;李肇基
  • 通讯作者:
    李肇基
Novel high-voltage power device based on self-adaptive interface charge
基于自适应接口充电的新型高压功率器件
  • DOI:
    10.1088/1674-1056/20/2/027101
  • 发表时间:
    2011-02-01
  • 期刊:
    Chinese Physics B
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    吴丽娟;胡盛东;张波;李肇基
  • 通讯作者:
    李肇基

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊:
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子:
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}
empty
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胡盛东的其他基金

基于部分复合埋层结构的横向变RESURF技术高压SOI LDMOS器件研究
  • 批准号:
    61574023
  • 批准年份:
    2015
  • 资助金额:
    64.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于纵向双RESURF概念的沟槽型SOI横向功率器件新结构及模型研究
  • 批准号:
    61404014
  • 批准年份:
    2014
  • 资助金额:
    24.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似国自然基金

{{ item.name }}
  • 批准号:
    {{ item.ratify_no }}
  • 批准年份:
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额:
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别:
    {{ item.project_type }}

相似海外基金

{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号:
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份:
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额:
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别:
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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AI项目解读示例

课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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