基于元胞内集成异质结的低开关损耗非对称型SiC MOSFET新结构研究
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AI项目解读
基本信息
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- 项目类别:面上项目
- 资助金额:57万
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- 批准年份:2021
- 项目状态:未结题
- 起止时间:2021至
- 项目参与者:胡盛东;
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- 期刊:Chinese Physics B
- 影响因子:1.7
- 作者:吴丽娟;胡盛东;张波;李肇基
- 通讯作者:李肇基
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