新型结构的碳化硅MESFET器件的研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60606022
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30.0万
  • 负责人：
    吕红亮
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
  • 学科分类：
    F0405.半导体器件物理
  • 结题年份：
    2009
  • 批准年份：
    2006
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2007-01-01 至2009-12-31

项目摘要

碳化硅射频功率器件具有体积小、质量轻、耐高温、功能强大、匹配简单等优点，有望在射频功率领域发挥巨大作用。由于材料特性及工艺水平的限制，普通的4H-SiC MESFET器件中出现陷阱效应和电流不稳定等不利因素，限制了器件的性能和发展前景。针对以上问题，本项目提出对新型结构碳化硅金属-半导体接触场效应晶体管（4H-SiC BG-BCMESFET）的研究，利用新的器件结构抑制陷阱效应，改善器件特性，实现碳化硅器件在射频功率应用领域的突破。主要研究内容围绕建立器件模型、探索器件工艺、优化匹配设计、实现功率封装等开展，完成芯片设计和仿真评估，并投片验证设计结果。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（16）
专著数量（1）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（3）
专利数量（4）
Electrothermal simulation of the self-heating effects in 4H-SiC MESFETs
4H-SiC MESFET 自热效应的电热模拟
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/17/4/043
  • 发表时间：
    2008-04
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Che Yong;Zhang Yu-Ming;Lu Hong-Liang;Zhang Yi-Men
  • 通讯作者：
    Zhang Yi-Men
4H-SiC 射频MESFET中陷阱参数的提取方法
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    物理学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Zhang Yu-Ming;Zhang Yi-Men;Chen Liang;Che Yong;Lu Hong-Liang;Wang Yue-Hu
  • 通讯作者：
    Wang Yue-Hu
High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room temperature
室温下高能电子辐射对 Ni 和 Ti/4H-SiC 肖特基势垒二极管的影响
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/18/5/034
  • 发表时间：
    2009-05
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    吕红亮
  • 通讯作者：
    吕红亮
Physically based model for trapping and self-heating effects in 4H-SiC MESFETs
4H-SiC MESFET 中捕获和自热效应的基于物理的模型
  • DOI：
    10.1007/s00339-008-4396-3
  • 发表时间：
    2008-02
  • 期刊：
    Applied Physics A-Materials Science & Processing
  • 影响因子：
    2.7
  • 作者：
    Zhang, Yuming;Zhang, Yimen;Zheng, Shaojin;Cao, Quanjun;Lu, Hongliang;Che, Yong
  • 通讯作者：
    Che, Yong
A Simple Method of Surface Parameter Extraction for Gate Schottky Contact in 4H-SiC MESFETs
4H-SiC MESFET 栅极肖特基接触表面参数提取的简单方法
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    半导体学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    吕红亮
  • 通讯作者：
    吕红亮

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其他文献

Fabrication and characteristics of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode
4H-SiC结势垒肖特基二极管的制备及特性
  • DOI：
    10.1088/1674-4926/32/6/064003
  • 发表时间：
    2011-06
  • 期刊：
    半导体学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈丰平;张玉明;吕红亮;张义门;郭辉;郭鑫
  • 通讯作者：
    郭鑫
SiC MOS capacitor of Al2O3/LaAlO3/SiO2 stacking gate medium layer and manufacturing method
Al2O3/LaAlO3/SiO2叠栅介质层的SiC MOS电容器及其制造方法
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    贾仁需;赵东辉;吕红亮;张玉明
  • 通讯作者：
    张玉明
标准化全连接残差网络空战目标威胁评估
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    火力与指挥控制
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    翟翔宇;杨风暴;吉琳娜;李书强;吕红亮
  • 通讯作者：
    吕红亮
面向图像差异特征融合的基于弗里德曼检验的小波基分类研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    红外技术
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    王向东;杨风暴;焦玉茜;吉琳娜;吕红亮
  • 通讯作者：
    吕红亮
基于博弈云模型的目标作战效能态势评估方法
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    火力与指挥控制
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    吕红亮;杨风暴;吉琳娜;马培博;翟翔宇
  • 通讯作者：
    翟翔宇

其他文献

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吕红亮的其他基金

表面量子阱隧穿场效应晶体管的多态调控机理研究
  • 批准号：
    62374120
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    48 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似国自然基金

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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