采用金属有机N源研究InN的MOCVD生长及其性质

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    60576007
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    21.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0401.半导体材料
  • 结题年份:
    2008
  • 批准年份:
    2005
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2006-01-01 至2008-12-31

项目摘要

该项目旨在研究氮化铟InN单晶薄层材料的金属有机化学汽相沉积MOCVD外延生长及其基本物理性质。针对现在MOCVD低温生长InN单晶的技术难点,提出用热裂解温度更低的金属有机MO氮N源代替氨Ammonia外延生长InN材料结构,探索金属有机N源在外延生长中的作用,从而为InN材料外延生长开辟新的研究途径;并结合材料表征方法,对影响MOCVD生长机理的缓冲层应力驰豫、生长温度和V/III比三要素进行研究。同时通过理论计算和实验研究,确定InN材料的禁带宽度和电子有效质量,研究其荧光谱和吸收谱随温度与材料背景浓度变化的规律。此研究不仅可以扩大MOCVD外延技术在氮化物III-N(GaN、AlGaN、InGaN)材料生长上的优势,而且完善了III-N化合物半导体材料的外延生长技术,为其在光电子与微电子领域,特别是在高效太阳能电池方面的广泛应用打下坚实基础。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(3)
专利数量(0)
Research on the correlation between Interfacial Oxides and the Electrical Characteristics of GaN Schottky Diodes
界面氧化物与GaN肖特基二极管电学特性相关性研究
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    微电子学,Vol.36 No.6 ,pp.722-724,2006
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    固体电子学研究与进展,Vol.27 No.3 pp.335-338, 2007
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    半导体技术,Vol.32 No.3 pp.226-229, 2007
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    固体电子学研究与进展Vol.28, No.1,pp.24-28,2008
  • 影响因子:
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  • 作者:
  • 通讯作者:

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其他文献

模拟准脆性材料热开裂的热力耦合格构离散单元法
  • DOI:
    10.3785/j.issn.1008-973x.2022.09.008
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
    浙江大学学报. 工学版
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    陈凌霄;田文祥;马刚;程勇刚;王桥;周伟
  • 通讯作者:
    周伟
基于有限元的原木横切面应力波振动特性的研究
  • DOI:
    10.13360/j.issn.2096-1359.2018.06.003
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
    林业工程学报
  • 影响因子:
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  • 作者:
    刘嘉新;周伟;李超
  • 通讯作者:
    李超
基于关联规则的公共交通通勤稳定性人群辨识
  • DOI:
    10.13229/j.cnki.jdxbgxb20180351
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
    吉林大学学报(工学版)
  • 影响因子:
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  • 作者:
    梁泉;翁剑成;周伟;荣建
  • 通讯作者:
    荣建
腐殖酸在纯碱溶液高压溶出过程中的存在形态
  • DOI:
    10.13355/j.cnki.sfyj.2016.02.019
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
    湿法冶金
  • 影响因子:
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  • 作者:
    周伟;李军旗;金会心;毛小浩;蔡灿
  • 通讯作者:
    蔡灿
露天矿黏土-砂岩重塑混合体K0固结试验研究
  • DOI:
    10.13199/j.cnki.cst.2019.06.014
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
    煤炭科学技术
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    陆翔;吴榕真;周伟;尚涛;舒继森;韩流
  • 通讯作者:
    韩流

其他文献

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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