采用金属有机N源研究InN的MOCVD生长及其性质
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60576007
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:21.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2008
- 批准年份:2005
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2006-01-01 至2008-12-31
- 项目参与者:杨谟华; 杜江锋; 罗谦; 靳翀; 龙飞; 周飞跃;
- 关键词:
项目摘要
该项目旨在研究氮化铟InN单晶薄层材料的金属有机化学汽相沉积MOCVD外延生长及其基本物理性质。针对现在MOCVD低温生长InN单晶的技术难点,提出用热裂解温度更低的金属有机MO氮N源代替氨Ammonia外延生长InN材料结构,探索金属有机N源在外延生长中的作用,从而为InN材料外延生长开辟新的研究途径;并结合材料表征方法,对影响MOCVD生长机理的缓冲层应力驰豫、生长温度和V/III比三要素进行研究。同时通过理论计算和实验研究,确定InN材料的禁带宽度和电子有效质量,研究其荧光谱和吸收谱随温度与材料背景浓度变化的规律。此研究不仅可以扩大MOCVD外延技术在氮化物III-N(GaN、AlGaN、InGaN)材料生长上的优势,而且完善了III-N化合物半导体材料的外延生长技术,为其在光电子与微电子领域,特别是在高效太阳能电池方面的广泛应用打下坚实基础。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(3)
专利数量(0)
Research on the correlation between Interfacial Oxides and the Electrical Characteristics of GaN Schottky Diodes
界面氧化物与GaN肖特基二极管电学特性相关性研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:微电子学,Vol.36 No.6 ,pp.722-724,2006
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:固体电子学研究与进展,Vol.27 No.3 pp.335-338, 2007
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体技术,Vol.32 No.3 pp.226-229, 2007
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:固体电子学研究与进展Vol.28, No.1,pp.24-28,2008
- 影响因子:--
- 作者:
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