赝异质结硅双极晶体管的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:69376033
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:6.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:1995
- 批准年份:1993
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1994-01-01 至1995-12-31
- 项目参与者:孟江生; 钱文生; 李瑶; 肖志雄;
- 关键词:
项目摘要
提出并实现了硅赝异质结结构,在此基础上研制成功了三种新型器件:(1)采用外延基区(分子束生长)技术,研制成功了fT≥10GHz的硅双极晶体管,电流增益HFE≥20,其区宽度WB≤100mm;(2)采用BSA工艺技术,研制成功了基区宽度小于100nm的超薄基区超小尺寸硅双极晶体管,fT计算值大于10GHz;(3)研制成功了一种可在液氮温度下工作的硅赝异质结双极晶体管,77KFHFE=20~100,fT≥400MHz,并且在-55℃~125℃范围内HFE温度稳定性好,高温上升率HTR和低温下降率LTF值均小于20%。给出的BSA工艺与PCT工艺兼容性良好。在理论研究方面发表了多篇学术论文,在实践成果方面已有1项成果通过了部级技术鉴定。
结项摘要

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项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

暂无数据
数据更新时间:2024-06-01
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