赝异质结硅双极晶体管的研究

项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    69376033
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    6.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0405.半导体器件物理
  • 结题年份:
    1995
  • 批准年份:
    1993
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    1994-01-01 至1995-12-31

项目摘要

提出并实现了硅赝异质结结构,在此基础上研制成功了三种新型器件:(1)采用外延基区(分子束生长)技术,研制成功了fT≥10GHz的硅双极晶体管,电流增益HFE≥20,其区宽度WB≤100mm;(2)采用BSA工艺技术,研制成功了基区宽度小于100nm的超薄基区超小尺寸硅双极晶体管,fT计算值大于10GHz;(3)研制成功了一种可在液氮温度下工作的硅赝异质结双极晶体管,77KFHFE=20~100,fT≥400MHz,并且在-55℃~125℃范围内HFE温度稳定性好,高温上升率HTR和低温下降率LTF值均小于20%。给出的BSA工艺与PCT工艺兼容性良好。在理论研究方面发表了多篇学术论文,在实践成果方面已有1项成果通过了部级技术鉴定。

结项摘要

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项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

暂无数据

数据更新时间:2024-06-01

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  • 批准号:
    69546001
  • 批准年份:
    1995
  • 资助金额:
    22.0 万元
  • 项目类别:
    专项基金项目