多孔low-k薄膜材料的新型表征技术

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60606011
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30.0万
  • 负责人：
    曹兴忠
  • 依托单位：
    中国科学院高能物理研究所
  • 学科分类：
    F0406.集成电路器件、制造与封装
  • 结题年份：
    2009
  • 批准年份：
    2006
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2007-01-01 至2009-12-31

项目摘要

随着集成电路芯片中的导线密度不断增加，导线宽度和间距不断减小，导致集成片的电阻和电容增大，寄生效应越来越明显，进而成为制约芯片性能的技术因素。采用低介电常数（low-k）材料替代传统二氧化硅绝缘材料已逐渐成为发展集成电路工艺的主要选择。多孔材料在降低材料的介电常数方面有明显的优势，因而多孔low-k薄膜材料中孔的结构特性的研究，是发展下一代超大规模集成电路的基础应用技术。但目前用于多孔薄膜材料的孔结构特性的表征手段非常欠缺。慢正电子束流技术是近年来发展起来的一种新型的微观核探针技术，在表征微缺陷结构方面有其独特性。因此，结合慢正电子束流技术，发展一种全新地薄膜材料孔结构特性的分析测量手段，对于研究low-k材料孔结构特性，优化集成工艺具有指导意义和应用价值。本项目将结合北京慢正电子束流装置，利用正电子在材料中的湮没信息，在薄膜材料孔结构特性的研究中展现新的应用领域。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（13）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置的物理设计
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    核技术
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    秦秀波;王平;姜小盼;于润升;王宝义;魏龙;QIN Xiubo1,2 WANG Ping1 JIANG Xiaopan1,2 YU Runshe
  • 通讯作者：
    QIN Xiubo1,2 WANG Ping1 JIANG Xiaopan1,2 YU Runshe
Migration behavior of vacancies in electron irradiated Fe-Cu alloys
电子辐照Fe-Cu合金中空位的迁移行为
  • DOI：
    10.1002/pssc.200982131
  • 发表时间：
    2009-01-01
  • 期刊：
    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 11
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Cao, Xingzhong;Xu, Qiu;Yoshiie, Toshimasa
  • 通讯作者：
    Yoshiie, Toshimasa
Identification of pore size in porous SiO2 thin film by positron annihilation
正电子湮没法识别多孔SiO2薄膜孔径
  • DOI：
    10.1088/1674-1137/33/2/015
  • 发表时间：
    2009-02
  • 期刊：
    Chinese Physics C
  • 影响因子：
    3.6
  • 作者：
  • 通讯作者：
Performance of the Beijing pulsed variable-energy positron beam
北京脉冲变能正电子束性能
  • DOI：
    10.1016/j.apsusc.2008.05.183
  • 发表时间：
    2008-10
  • 期刊：
    Applied Surface Science
  • 影响因子：
    6.7
  • 作者：
  • 通讯作者：
Microstructure evolution of Ge+ implanted silicon oxide thin films upon annealing treatments
退火处理后Ge注入氧化硅薄膜的微观结构演变
  • DOI：
    10.1016/j.nimb.2009.06.028
  • 发表时间：
    2009-09
  • 期刊：
    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-beam Interactions With Materials and Atoms
  • 影响因子：
    1.3
  • 作者：
  • 通讯作者：

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其他文献

RAFM钢中H+辐照空位型缺陷的慢正电子束研究
  • DOI：
    10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.070201
  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    张梓晗;宋力刚;靳硕学;曹兴忠;孙建荣;洪志远;李小燕;李锦钰;燕青芝;王宝义
  • 通讯作者：
    王宝义
北京慢正电子强束流束团化系统设
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    高能物理与核物理，30（2）（2006）166-170
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    马雁云;裴士伦;曹兴忠;王平
  • 通讯作者：
    王平
“预聚束器-斩波器”结构对慢正电子束流束团化的影响模拟
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2019-09
  • 期刊：
    核技术
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    刘龙朋;刘福雁;裴士伦;况鹏;王宝义;张鹏;张怀强;曹兴忠
  • 通讯作者：
    曹兴忠
奥氏体316不锈钢微观缺陷的热演化
  • DOI：
    10.13705/j.issn.1671-6841.2019028
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    郑州大学学报(理学版）
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    李玉晓;史大琳;曹兴忠;靳硕学;张鹏;朱特;宋力刚;王宝义
  • 通讯作者：
    王宝义
不同温度硫化生长ZnS薄膜的性能
  • DOI：
    10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.03.006
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    电 子 元 件 与 材 料
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    杨光;张仁刚;曹兴忠;张鹏;王宝义
  • 通讯作者：
    王宝义

其他文献

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曹兴忠的其他基金

合金元素对高熵合金相结构及抗氢/氦辐照性能影响机制
  • 批准号：
    12175262
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    91026006
  • 批准年份：
    2010
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  • 项目类别：
    重大研究计划

相似国自然基金

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相似海外基金

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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