用大气压等离子体CVD快速制备低温晶化Si薄膜

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60776009
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    36.0万
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
  • 学科分类：
    F0401.半导体材料
  • 结题年份：
    2010
  • 批准年份：
    2007
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2008-01-01 至2010-12-31

项目摘要

用非平衡的低温等离子体技术制备薄膜半导体材料需要实现高速化。本项目提出采用非平衡的大气压超高频等离子体CVD技术快速制备用于太阳电池的低温晶化Si薄膜。主要研究内容包括：1）持续稳定的大气压超高频等离子体的生成、诊断及其控制；2）围绕提高薄膜生长速率的目标，实时监控等离子体，对其中的活性粒子生成机理和反应机制进行深入探讨；3）确立最佳反应条件，快速制备出具有优异光电特性的低温晶化Si薄膜；4）低温晶化Si薄膜的电学、光学特性表征及其在太阳电池中的应用探讨。.大气压等离子技术正以其独特的性质和低廉的成本而受到广泛关注。系统研究用非平衡的大气压超高频等离子体CVD技术快速制备低温晶化Si薄膜将会对相关领域的研究产生积极影响。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
The influence of H2/Ar ratio on Ge content of the mc-SiGe:H films deposited by PECVD
H2/Ar比对PECVD沉积mc-SiGe:H薄膜Ge含量的影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
The structure and optical properties of silicon nanowires prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition
电感耦合等离子体化学气相沉积硅纳米线的结构和光学性能
  • DOI：
    10.1016/j.matlet.2011.01.033
  • 发表时间：
    2011-04
  • 期刊：
    Materials Letters
  • 影响因子：
    3
  • 作者：
  • 通讯作者：
The optoelectronic properties of silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD
电感耦合等离子体CVD沉积硅薄膜的光电特性
  • DOI：
    10.1016/j.apsusc.2010.07.071
  • 发表时间：
    2010-11
  • 期刊：
    Applied Surface Science
  • 影响因子：
    6.7
  • 作者：
  • 通讯作者：
Effect of Ar in the source gas on the microstructure and optoelectronic properties of microcrystalline silicon films deposited by plasma-enhanced CVD
源气中Ar对等离子体增强CVD沉积微晶硅薄膜微观结构和光电性能的影响
  • DOI：
    10.1016/j.apsusc.2010.08.068
  • 发表时间：
    2010-12
  • 期刊：
    Applied Surface Science
  • 影响因子：
    6.7
  • 作者：
  • 通讯作者：
Deposition and growth mechanism of low-temperature crystalline silicon films on inexpensive substrates
廉价衬底上低温晶体硅薄膜的沉积和生长机制
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

其他文献

Kinetic Monte carlo对薄膜内部
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    郑小平;张佩峰;范多旺;贺德衍
  • 通讯作者：
    贺德衍
计算机模拟在薄膜外延生长中的应
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    兰州大学学报（自然科学），42（3），p89-95，2006.6，。
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    张佩峰;郑小平;刘军;贺德衍
  • 通讯作者：
    贺德衍
离子辐照引起Eu掺杂氧化镁的发光特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    激光与光电子学进展
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    宋银;张崇宏;杨义涛;李炳生;马艺准;缑洁;姚存峰;贺德衍;Song Yin Zhang Chonghong Yang Yitao Li Bingsheng M
  • 通讯作者：
    Song Yin Zhang Chonghong Yang Yitao Li Bingsheng M
氮化碳薄膜的结构与特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    无机材料学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈光华;吴现成;贺德衍
  • 通讯作者：
    贺德衍
镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    液晶与显示
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    彭尚龙;胡多凯;贺德衍
  • 通讯作者：
    贺德衍

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
empty
内容获取失败，请点击重试
重试联系客服
title开始分析
查看分析示例
此项目为已结题，我已根据课题信息分析并撰写以下内容，帮您拓宽课题思路：

AI项目思路

AI技术路线图

贺德衍的其他基金

高能量密度锂-硫电池电极的设计、制备及其性能研究
  • 批准号：
    11674138
  • 批准年份：
    2016
  • 资助金额：
    65.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
离子辐照硅基薄膜作为大容量高功率锂离子电池负极材料研究
  • 批准号：
    11179038
  • 批准年份：
    2011
  • 资助金额：
    48.0 万元
  • 项目类别：
    联合基金项目
硅基材料纳米管的制备及其锂离子电池性能研究
  • 批准号：
    10974073
  • 批准年份：
    2009
  • 资助金额：
    38.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用
  • 批准号：
    10175030
  • 批准年份：
    2001
  • 资助金额：
    19.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
SiGe量子点薄膜的低温自组织化生长
  • 批准号：
    69776007
  • 批准年份：
    1997
  • 资助金额：
    14.8 万元
  • 项目类别：
    面上项目
非晶半导体器件中的变带隙夹层及异质界面特性分析
  • 批准号：
    18800703
  • 批准年份：
    1988
  • 资助金额：
    3.5 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目

相似国自然基金

{{ item.name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 批准年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}

相似海外基金

{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了

AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
关闭
close
客服二维码