新型SiC/SiCGe光控功率晶体管及其光电特性研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60876050
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    30.0万
  • 负责人：
    蒲红斌
  • 依托单位：
    西安理工大学
  • 学科分类：
    F0403.半导体光电子器件与集成
  • 结题年份：
    2011
  • 批准年份：
    2008
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2009-01-01 至2011-12-31

项目摘要

为避免电磁干扰，弥补SiC在光电子领域应用的不足，基于SiCGe/SiC异质结和超结原理，提出了易于制备的新型SiC/SiCGe光控功率晶体管。.本项目拟采用热壁CVD法在半绝缘SiC衬底上同质外延P型SiC层以及在p-SiC外延层上异质外延n型SiCGe材料。利用禁带宽度随组分可调的三元合金n型SiCGe与p柱SiC间形成横向异质结n-SiCGe/p-SiC，纵向采用n-SiCGe/p-SiC类"超结"结构，制备出新型SiC/SiCGe光控功率晶体管。着重研究器件结构的优化设计、碳化硅衬底上同质外延p-SiC高效掺杂问题以及n-SiCGe禁带宽度、吸收系数等光学性质随组分和工艺参数变化关系。SiC刻蚀与牺牲氧化工艺、外延层之间晶格匹配问题，也是本项目走向实用化必须研究的重要内容。研究内容还包括欧姆电极的制备以及材料参数和器件结构参数对光控器件的功率处置能力、光谱响应影响等问题

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（5）
专利数量（0）
Switching characters of SiCGe/SiC heterojunction: an optically triggered lateral power transistor with charge compensation layer
SiCGe/SiC异质结的开关特性：带电荷补偿层的光触发横向功率晶体管
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
An optically controlled sic lateral power transistor based on SiC/SiCGe superjunction structure
基于SiC/SiCGe超结结构的光控SiC横向功率晶体管
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
Hetero-epitaxial defects and optical characteristics of SiCGe layers grown on 6H-SiC substrate
6H-SiC 衬底上生长的 SiCGe 层的异质外延缺陷和光学特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
Evidence of responsivity and breakdown voltage improvement in SiCGe/SiC phototransistor with charge compensation layer
带电荷补偿层的 SiCGe/SiC 光电晶体管的响应度和击穿电压改善的证据
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
Optically controlled SiCGe/SiC heterojunction transistor with charge-compensating layer
具有电荷补偿层的光控SiCGe/SiC异质结晶体管
  • DOI：
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  • 发表时间：
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  • 作者：
  • 通讯作者：

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其他文献

表面缺陷对SiC JBS二极管特性影响研究
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  • 发表时间：
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    陈治明
非均匀地应力下井壁Von Mises应力及稳定性分析
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    石油地质与工程
  • 影响因子：
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  • 作者：
    李冬梅;窦益华;王小增;李明飞;蒲红斌
  • 通讯作者：
    蒲红斌
偏 4°4H-SiC 同质外延层上新形貌三角形缺陷研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明
  • 通讯作者：
    陈治明
梯度掺杂对SiC LTT短基区少子输运增强研究
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    电力电子技术
  • 影响因子：
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  • 作者：
    王曦;蒲红斌;刘青;陈治明
  • 通讯作者：
    陈治明
SiC光触发晶闸管的研制与特性分析
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    电力电子技术
  • 影响因子：
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  • 作者：
    王曦;蒲红斌;陈春兰;陈治明
  • 通讯作者：
    陈治明

其他文献

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蒲红斌的其他基金

超快碳化硅电离波触发晶闸管的研究
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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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