离子束外延法生长半导体性β－FeSi2薄膜的研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    69276003
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    5.0万
  • 负责人：
    秦复光
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
  • 学科分类：
    F0401.半导体材料
  • 结题年份：
    1995
  • 批准年份：
    1992
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    1993-01-01 至1995-12-31
  • 项目参与者：
    姚振钰； 王向明； 任治璋； 刘志剀；
  • 关键词：

项目摘要

用带有质量分离的低能离子束外延技术在超高真空环境中在Si（111）衬底上生长了β—FeSi2外延薄膜。研究了衬底的预处理，Fe（+）离子能量，衬底温度，薄膜热处理及膜厚等因素对薄膜晶体结构的影响。RHEED，X光衍射，AES及XPS结果表明，在最佳工艺条件下可得到膜厚达1000A（。），有较好晶全质量和正化学比的β—FeSi2外延薄膜。光学测量表明薄膜为Eg≈0.84eV的直接带半导体，电学测量表明薄膜为P型，室温电阻率约6×10（-2）Ωcm，空穴浓度约3×10（18）cm（-3），空穴迁移率约40cm（-2）V（-1）S（-1）。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）

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其他文献

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AI项目思路

AI技术路线图

秦复光的其他基金

离子束外延生长超薄层及多层结构材料的研究
  • 批准号：
    68786009
  • 批准年份：
    1987
  • 资助金额：
    8.0 万元
  • 项目类别：
    专项基金项目

相似国自然基金

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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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