有机场效应晶体管驱动分子存储器单元的制备及其性能表征

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    61001043
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    26.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0122.物理电子学
  • 结题年份:
    2013
  • 批准年份:
    2010
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2011-01-01 至2013-12-31

项目摘要

柔性、轻、薄是下一代电子器件的突出特点。有机半导体具有的柔性、质轻、价廉的特点使其在下一代柔性电子器件中具有良好的应用前景。目前,对于有机场效应晶体管、有机分子交叉阵列存储器等有机器件的研究已经取得了突破性的进展。但是,目前国内有机器件的研究还集中在材料和原型器件上,对于有机单元器件集成的研究还处处于起步阶段。交叉阵列分子存储器研究已经取得了较大的进展,但是器件中的"串绕"现象制约着器件的应用与发展。申请者拟对这一关键问题进行系统研究,以有机场效应晶体管驱动分子存储单元器件为解决方案进行探索,制备柔性衬底上全有机集成单元的器件,研究晶体管对分子存储器件性能的提升及形变情况下集成单元性能的变化情况。本课题属于国际上有机电子器件前沿研究的热点和难点问题,具有很强的前瞻性和重要的实际意义,可在有机电子学领域获得具有自主知识产权的核心技术,为我国有机电子学的发展提供借鉴。

结项摘要

本项目的主要研究内容可以归纳为以下两个部分:. 一:系统研究了有机集成电路的核心单元器件,有机场效应晶体管和有机分子存储器;其性能进行了优化及调控。(1)实现了低操作电压的有机场效应晶体管的制备及其阈值电压的调控,(2)制备了低操作电压的有机多值存储器件及和高性能的有机分子存储器件,(3)对有机分子器件的模型进行了研究,系统研究了影响有机电子器件性能的因素,. 二:(1)实现了低操作电压的集成,制备了有机集成电路的核心单元,反相器及振荡器。(2)实现了有机场效应晶体管和分子存储器件(1T1R)的集成,并制备了基于1T1R的阵列。.. 本项目按原计划顺利进行,共发表SCI论文12篇,申请专利16项,计划任务圆满完成,实现了预期目标。

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Low-Voltage Multilevel Memory Based on Organic Thin-Film Transistor
基于有机薄膜晶体管的低压多级存储器
  • DOI:
    10.1109/led.2011.2162218
  • 发表时间:
    2011-08
  • 期刊:
    IEEE Electron Device Letters
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Shang, Liwei Ji, Zhuoyu Wang, Hong Chen, Yinping L
  • 通讯作者:
    Shang, Liwei Ji, Zhuoyu Wang, Hong Chen, Yinping L
Nonvolatile nano-crystal floating gate OFET memory with light assisted program
具有光辅助程序的非易失性纳米晶体浮栅 OFET 存储器
  • DOI:
    10.1016/j.orgel.2011.03.037
  • 发表时间:
    2011-07
  • 期刊:
    Organic Electronics
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Wang, Hong Ji, Zhuoyu Shang, Liwei Chen, Yingping
  • 通讯作者:
    Wang, Hong Ji, Zhuoyu Shang, Liwei Chen, Yingping
Contact-Length-Dependent Contact Resistance of Top-Gate Staggered Organic Thin-Film Transistors
顶栅交错有机薄膜晶体管的接触长度相关接触电阻
  • DOI:
    10.1109/led.2012.2224631
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
    IEEE Electron Device Letters
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    王宏;李泠;姬濯宇;陆丛研;郭经纬;王龙;刘明
  • 通讯作者:
    刘明
Threshold Voltage Tuning of Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors
低压有机薄膜晶体管的阈值电压调谐
  • DOI:
    10.1109/ted.2011.2136436
  • 发表时间:
    2011-05
  • 期刊:
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 影响因子:
    3.1
  • 作者:
    Shang, Liwei Ji, Zhuoyu Wang, Hong Chen, Yingpin L
  • 通讯作者:
    Shang, Liwei Ji, Zhuoyu Wang, Hong Chen, Yingpin L
Low voltage organic devices and circuits with aluminum oxide thin film dielectric layer
具有氧化铝薄膜介电层的低压有机器件和电路
  • DOI:
    10.1007/s11431-010-4213-z
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
    Science China-Technological Sciences
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Shang LiWei Ji ZhuoYu Chen YingPin Wang Hong Liu X
  • 通讯作者:
    Shang LiWei Ji ZhuoYu Chen YingPin Wang Hong Liu X

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其他文献

其他文献

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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