大幅度提高铁电场效应管(FeFET)中存储电荷保持时间

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60776054
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    31.0万
  • 负责人：
    江安全
  • 依托单位：
    复旦大学
  • 学科分类：
    F0405.半导体器件物理
  • 结题年份：
    2010
  • 批准年份：
    2007
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2008-01-01 至2010-12-31

项目摘要

非挥发铁电薄膜存储器件具有读写操作速度快和电压低等优点得到了广泛的关注。常用电荷积分的识别方法会随着器件存储密度的提高而引起信号识别困难。采用铁电场效应管(FeFET)的读写方式不仅可以克服该缺点，且信号的读取是非破坏性的，提高了器件的使用寿命。但是这种器件的缺点是信息保持时间短，成为技术发展上的一个颈瓶。究其机理是由于在硅衬底和铁电薄模之间生长的绝缘层太薄（～几个纳米），导致了存储电荷发生泄漏现象。如果该层太厚，又会导致在正常写电压下电畴翻转的困难。针对这对矛盾，我们提出用反铁电材料部分或完全替代该绝缘层，通过铁电和反铁电二者膜厚比的调节，保证在外加写电压之后反铁电体仍维持在铁电态，从而产生一个可以调节半导体内沟道电流的电势。由于反铁电体和铁电体的饱和极化强度基本相当，反铁电层膜厚可以增大，减小了漏电流，信息保持时间得以延长，同时又可以保证在正常的写电压下电畴的完全翻转。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（15）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（1）
专利数量（9）
The Inlaid Al2O3 Tunnel Switch for Ultrathin Ferroelectric Films
超薄铁电薄膜镶嵌Al2O3隧道开关
  • DOI：
    10.1002/adma.200802924
  • 发表时间：
    2009-07-07
  • 期刊：
    ADVANCED MATERIALS
  • 影响因子：
    29.4
  • 作者：
    Jiang, An Quan;Lee, Hyun Ju;Hwang, Cheol Seong
  • 通讯作者：
    Hwang, Cheol Seong
Reversible charge injection in antiferroelectric thin films
反铁电薄膜中的可逆电荷注入
  • DOI：
    10.1063/1.3039073
  • 发表时间：
    2008-11
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Zhang, Q.;Tang, T. A.;Jiang, A. Q.;Corkovic, S.
  • 通讯作者：
    Corkovic, S.
Resolving the Landauer paradox in ferroelectric switching by high-field charge injection
通过高场电荷注入解决铁电开关中的兰道尔悖论
  • DOI：
    10.1103/physrevb.80.024119
  • 发表时间：
    2009-07-01
  • 期刊：
    PHYSICAL REVIEW B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Jiang, An-Quan;Lee, Hyun Ju;Tang, Ting-Ao
  • 通讯作者：
    Tang, Ting-Ao
Estimation of nonlinear interfacial capacitance from domain switching current of ferroelectric thin films
从铁电薄膜的畴切换电流估计非线性界面电容
  • DOI：
    10.1016/j.tsf.2008.10.056
  • 发表时间：
    2009-02
  • 期刊：
    Thin Solid Films
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    Jiang, A. Q.;Fei, J. W.;Tang, T. A.
  • 通讯作者：
    Tang, T. A.
Formulization of long-time domain switching around the coercive field from imprint measurements on ferroelectric thin films
通过铁电薄膜上的压印测量来公式化围绕矫顽场的长时域切换
  • DOI：
    10.1063/1.2948931
  • 发表时间：
    2008-06
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Jiang, A. Q.;Lin, Y. Y.;Tang, T. A.;Fei, J. W.
  • 通讯作者：
    Fei, J. W.

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其他文献

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江安全的其他基金

高密度铁电畴壁存储器选择管的同质集成技术研究
  • 批准号：
    62174034
  • 批准年份：
    2021
  • 资助金额：
    60.00 万元
  • 项目类别：
    面上项目
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  • 批准年份：
    2021
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高密度铌酸锂单晶薄膜铁电二极管存储器
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极化调制p-n结电流的高密度铁电二极管存储器
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  • 项目类别：
    面上项目

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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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