硅高指数晶面原子台阶结构的STM考察及其应用研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:69676012
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:10.5万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:1999
- 批准年份:1996
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1997-01-01 至1999-12-31
- 项目参与者:胡晓明; 江潮; 张广泽; 朱勤生;
- 关键词:
项目摘要
利用SPA-LEED和气体吸附等实验方法研究了硅[T10]晶带中高指数晶面的表面原子结构。在采用球面状样品寻找稳定晶面的基础上,重点探讨了三个晶面。其结果是:一、硅(113)是最稳定的高指数面,可作为异质外延衬底。同物理所合作提出了一个新的表面原子再构模型;二、硅(5,5,12)是仅次于(113)的稳定的高指数面,其表面无胞为0.38nm×5.35nm ,可能是至今所发现的原子元胞了大的半导体表面。提出了表面原子再构模型;三、硅(112)晶面本身不稳定,但它形成了稳定的由(111)和(337)小平面构成的原子台阶,其高度和宽度分别为0.7或13nm,且排列序,可望作为制备量子线结构材料的衬底。
结项摘要
项目成果
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