光电导开关非线性模式的规律及稳定性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10876025
- 项目类别:联合基金项目
- 资助金额:10.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A31.NSFC-中物院联合基金
- 结题年份:2009
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2009-12-31
- 项目参与者:贾婉丽; 纪卫莉; 田立强;
- 关键词:
项目摘要
本项申请是针对2006年12月结题的NSAF联合基金"非线性光电导开关设计技术研究(批准号: 10376025)"于2007年被授予NSAF联合基金特优奖的延续课题。.研究非线性GaAs光电导开关在强电场触发下形成Lock on 效应的稳定性问题。从光子诱发电荷畴的瞬态电场约束条件和级联过程出发,揭示因光致碰撞电离引起的、以光激发电荷畴为表现形式的载流子雪崩倍增行为的物理规律,探讨非线性GaAs光电导开关内丝状电流的形成原因和控制方法,研究强电场偏置下非线性GaAs光电导开关稳定工作的物理条件,通过改进GaAs芯片性能来改善触发导通瞬态过程中芯片内的电场分布,抑制丝状电流的形成,得出利用光激发电荷畴来控制并调节非线性GaAs光电导开关产生具有载流子雪崩倍增机制的电脉冲的稳定性条件。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(4)
专利数量(0)
Current limiting effects of photoactivated charge domain in semi-insulating GaAs photoconductive switch
半绝缘GaAs光电导开关中光激活电荷域的限流效应
- DOI:10.1063/1.3086886
- 发表时间:2009-02
- 期刊:Applied Physics Letters
- 影响因子:4
- 作者:
- 通讯作者:
High Current Operation of Semi-insulating Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switch Triggering Spark Gap
半绝缘砷化镓光电导半导体开关触发火花隙的高电流工作
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国物理快报:英文版
- 影响因子:--
- 作者:徐鸣
- 通讯作者:徐鸣
高压ns 光电导开关及其击穿特性研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:高电压技术
- 影响因子:--
- 作者:刘红
- 通讯作者:刘红
Terahertz generation from SI-GaAs stripline antenna with different structural parameters
不同结构参数的 SI-GaAs 带状线天线产生太赫兹
- DOI:10.1364/josab.26.00a107
- 发表时间:2009-09-01
- 期刊:JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS
- 影响因子:1.9
- 作者:Shi, Wei;Hou, Lei;Tongue, Thomas
- 通讯作者:Tongue, Thomas
A Novel Application of GaAs Photoconductive Semiconductor Switch in Triggering Spark Gap
GaAs光电导半导体开关在火花隙触发中的新应用
- DOI:10.1109/tps.2009.2012513
- 发表时间:2009-04
- 期刊:IEEE Transactions on Plasma Science
- 影响因子:1.5
- 作者:
- 通讯作者:
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- 通讯作者:徐鸣
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