表面等离激元增强ZnO基器件紫外电致发光研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60876031
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    36.0万
  • 负责人：
    张兴旺
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
  • 学科分类：
    F0403.半导体光电子器件与集成
  • 结题年份：
    2011
  • 批准年份：
    2008
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2009-01-01 至2011-12-31

项目摘要

ZnO基发光器件在信息、光通信、白光照明、医学以及生物等领域具有广泛的应用前景，是当前半导体材料与器件研究的热点。由于ZnO本征缺陷，p型掺杂困难使得空穴浓度不高，ZnO的自吸收以及全反射损失等，使得目前ZnO基发光器件的发光效率普遍较低。我们拟在n-ZnO/AlN(或ZnMgO)/p-GaN结构上覆盖一层Ag/Al合金薄膜，利用金属表面等离激元与ZnO近带边发射的耦合作用，加快ZnO近带边辐射跃迁速率，抑制缺陷复合发光及其它非辐射过程，提高体系内量子效率；同时光从金属层出射，避免了半导体材料的自吸收及全反射损失，从而提高器件的光抽取效率。此外，在异质结中引入一宽带隙的电子势垒层，可以把复合过程限制在n-ZnO一侧。通过该项目的实施，我们期望能研制出ZnO基室温高效紫外电致发光器件，进一步探明表面等离激元增强发光的机理，提供一条解决ZnO及其它半导体材料低发光效率的可行途径。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（7）
Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure
ZnO/Si 异质结的电致发光行为：能带排列和界面微观结构
  • DOI：
    10.1063/1.3385384
  • 发表时间：
    2010-04-15
  • 期刊：
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    You, J. B.;Zhang, X. W.;Chu, Paul K.
  • 通讯作者：
    Chu, Paul K.
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
氢等离子体后处理提高ZnO薄膜的导电率和透光率
  • DOI：
    10.1063/1.3108543
  • 发表时间：
    2009-04-15
  • 期刊：
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Cai, P. F.;You, J. B.;Chen, N. F.
  • 通讯作者：
    Chen, N. F.
Controllable Growth of Highly Ordered ZnO Nanorod Arrays via Inverted Self-Assembled Monolayer Template
通过反向自组装单层模板可控生长高度有序的 ZnO 纳米棒阵列
  • DOI：
    10.1021/am2010288
  • 发表时间：
    2011-11-01
  • 期刊：
    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
  • 影响因子：
    9.5
  • 作者：
    Dong, J. J.;Zhang, X. W.;Gao, H. L.
  • 通讯作者：
    Gao, H. L.
Localized surface plasmon-enhanced electroluminescence from ZnO-based heterojunction light-emitting diodes
ZnO 基异质结发光二极管的局域表面等离子体增强电致发光
  • DOI：
    10.1063/1.3658392
  • 发表时间：
    2011-10-31
  • 期刊：
    APPLIED PHYSICS LETTERS
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Zhang, S. G.;Zhang, X. W.;Tao, Y.
  • 通讯作者：
    Tao, Y.
Localized-Surface-Plasmon Enhanced the 357 nm Forward Emission from ZnMgO Films Capped by Pt Nanoparticles.
局域表面等离子体增强了 Pt 纳米颗粒覆盖的 ZnMgO 薄膜的 357 nm 前向发射
  • DOI：
    10.1007/s11671-009-9366-y
  • 发表时间：
    2009-06-12
  • 期刊：
    Nanoscale research letters
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    You JB;Zhang XW;Dong JJ;Song XM;Yin ZG;Chen NF;Yan H
  • 通讯作者：
    Yan H

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
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          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
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          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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