掺氮的重掺砷直拉单晶硅中的氧沉淀和空洞型缺陷的研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    50672085
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    29.0万
  • 负责人：
    马向阳
  • 依托单位：
    浙江大学
  • 学科分类：
    E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
  • 结题年份：
    2009
  • 批准年份：
    2006
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2007-01-01 至2009-12-31

项目摘要

本项目是在有明确的应用背景下而提出的，旨在提高N/N+外延片的内吸杂功能，从而有利于提高集成电路的成品率。项目将生长掺氮的重掺砷直拉硅单晶；研究氮对重掺砷单晶硅原生氧沉淀形成的影响，揭示氮对原生氧沉淀形成有强烈影响的温度范围；研究在不同热处理条件（单步、多步退火）下，特别是在模拟CMOS器件工艺的热循环条件下，掺氮的重掺砷单晶硅的氧沉淀行为及规律；研究氮对重掺砷单晶硅中原生空洞型缺陷（COP）形成的影响，通过与普通的重掺砷单晶硅的比较，揭示氮对重掺砷硅单晶中COP的密度和尺寸分布的影响，并提出其影响机制；研究掺氮的重掺砷单晶硅片的COP在氢气或惰性气氛下高温热处理的消除行为，开发出消除掺氮的重掺砷单晶硅片COP的技术；对利用掺氮的重掺砷硅片作为衬底生长的N/N+外延片的内吸杂能力作出评价。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Kinetics of nitrogen indiffusion in czochralski silicon annealed in nitrogen ambient
氮气气氛退火直拉硅中氮内扩散动力学
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
    Chinese Physics Letters
  • 影响因子：
    3.5
  • 作者：
    Ma Xiang-Yang;Li Ming;Yang De-Ren
  • 通讯作者：
    Yang De-Ren
低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    物理学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    宫龙飞;奚光平;曾俞衡;田达晰;杨德仁;马向阳
  • 通讯作者：
    马向阳
Oxygen precipitation heterogeneously nucleating on silicon phosphide precipitates in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon
重磷掺杂直拉硅中磷化硅沉淀物上的氧沉淀异相成核
  • DOI：
    10.1063/1.3120943
  • 发表时间：
    2009-05
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Yuheng Zeng;Xiangyang Ma;Daxi Tian;Weiyang Wang;Longfei Gong;Deren Yang;Duanlin Que
  • 通讯作者：
    Duanlin Que
Oxygen precipitation in conventional and nitrogen co-doped heavily arsenic-doped Czochralski silicon crystals: Oswald ripening
常规和氮共掺杂重砷直拉硅晶体中的氧沉淀：奥斯瓦尔德熟化
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Solid State Phenomena
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Xiangyang Ma, Yan Feng, Yuheng Zeng, Deren Yang
  • 通讯作者：
    Xiangyang Ma, Yan Feng, Yuheng Zeng, Deren Yang
A chromium-free etchant for delineation of defects in heavily doped n-gype silicon wafers
一种无铬蚀刻剂，用于描绘重掺杂 n-gype 硅片中的缺陷
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Materials Science in Semiconductor Processing
  • 影响因子：
    4.1
  • 作者：
    Yuheng Zeng, Deren Yang, Xiangyang Ma, Zhidan zeng
  • 通讯作者：
    Yuheng Zeng, Deren Yang, Xiangyang Ma, Zhidan zeng

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    杨德仁
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
    杨德仁

其他文献

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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