Ⅲ族氮化物半导体/钙钛矿氧化物异质界面微结构与物性研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    11147126
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    5.0万
  • 负责人：
    王建利
  • 依托单位：
    中国矿业大学
  • 学科分类：
    A25.基础物理
  • 结题年份：
    2012
  • 批准年份：
    2011
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2012-01-01 至2012-12-31

项目摘要

Ⅲ族氮化物半导体材料在光电子器件、光电集成、超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上具有广阔的应用前景.由于很难得到大尺寸的Ⅲ族氮化物半导体体单晶材料，到目前为止，Ⅲ族氮化物半导体器件主要通过异质外延方法制作。找到合适的衬底，制备出高质量的低维结构Ⅲ族氮化物半导体体单晶材料一直是人们普遍关心的问题。本课题主要研究Al(Ga,In)N/Sr(Ba,Pb)TiO3异质界面微结构与物理性质，包括Al(Ga,In)N在Sr(Ba,Pb)TiO3衬底上的吸附生长、异质界面微结构、超晶格界面等方面，为样品制备和设计提供理论依据。

结项摘要

本课题首先研究了掺Zn对InN体内和表面结构稳定性的影响。考虑了各种不同的表面结构，包括未重构的和不同覆盖度的Zn吸附表面。通过比较掺Zn前后InN表面的表面能，确定In(或者N)的化学势在平衡表面的作用。其次研究了在不同氧环境下BaTiO3(110)表面的五个终端面(BaTiO、TiO、Ba、O2、O)稳定性。推导了不同不同生长环境下这些终端面表面巨热力势。绘制了完整的相图。结果显示BaTiO3(110)-O2终端面不稳定，生长过程中将呈现BaTiO、TiO、Ba和O终端面。富钡条件下BaTiO3(110)-Ba终端面与BaTiO3(100)-BaO终端面表面巨热力势接近，两表面可共存。最后研究了AlN在SrTiO3(111)衬底上高对称吸附位的初始生长和原子结构。Al原子比N原子更容易吸附。在所研究的界面不同排列中，非常规Al/SrO3 (111)界面比较稳定。非常规Al/SrO3 (111)界面氧空位降低界面稳定性并引入电子态。此外，我们还对CdTe(001) and (111)表面氧吸附和SrTiO3 表面以及 SrTiO3/LaAlO3 界面本证缺陷稳定性进行了研究。

项目成果

期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
InN doped with Zn: Bulk and surface investigation from first principles
InN 掺杂 Zn：从第一原理开始进行体相和表面研究
  • DOI：
    10.1016/j.ssc.2012.03.036
  • 发表时间：
    2012-07
  • 期刊：
    Solid State Communications
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    Wang, Jianli1;Tang, Gang1;Wu, X.S.2;Gu, Mingqiang2
  • 通讯作者：
    Gu, Mingqiang2
Stabilities of the Intrinsic Defects on SrTiO3 Surface and SrTiO3/LaAlO3 Interface
SrTiO3表面和SrTiO3/LaAlO3界面本征缺陷的稳定性
  • DOI：
    10.1021/jp309479e
  • 发表时间：
    2012-11-29
  • 期刊：
    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Gu, Mingqiang;Wang, Jianli;Zhang, G. P.
  • 通讯作者：
    Zhang, G. P.
Thermodynamic stability of BaTiO3 (110) surfaces
BaTiO3（110）表面的热力学稳定性
  • DOI：
    10.1002/pssb.201147358
  • 发表时间：
    2012-04
  • 期刊：
    Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics
  • 影响因子：
    1.6
  • 作者：
    Wang, J. L;Tang, G;Wu, X. S
  • 通讯作者：
    Wu, X. S

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其他文献

氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    戴宪起;王建利;闫慧娟
  • 通讯作者：
    闫慧娟
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  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    湖北农业科学
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  • 作者：
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    孙治博
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  • 通讯作者：
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  • 发表时间：
    2012
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    戴宪起;阎慧娟;王建利
  • 通讯作者：
    王建利

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氮化铟基半导体异质生长和掺杂的数值模拟研究
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    11347016
  • 批准年份：
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    专项基金项目

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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